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Applied Materials per ospitare Seminario su tecnologie economiche per la litografia

Published on February 23, 2010 at 4:54 AM

Attuali tecniche di litografia ottica per i dispositivi a semiconduttore patterning stanno rapidamente raggiungendo i propri limiti. Mentre litografia a immersione con patterning doppio sembra essere estensibile a 19nm per i dispositivi di memoria flash a 15 nm e, potenzialmente, disegni logica, litografia EUV è visto come il più probabile successore.

Tuttavia, è fondamentale che litografia EUV e dei suoi processi di produzione correlati sono pronti per questo passaggio importante - in grado di raggiungere livelli accettabili di produttività e rendimento. Il 24 febbraio, Applied Materials ospiterà un approfondito seminario per esplorare le tecniche che saranno necessari per la costo-efficacia scaling avanzate.

Intitolato "ad alta produttività Tecnologie per la litografia Next Generation", il forum sarà caratterizzato da esperti provenienti dalla logica e produttori di fonderia, consorzi di ricerca e il settore delle apparecchiature. Durante una giornata di presentazioni tecniche presso il Claire Sainte Hotel a San Jose, California, i relatori presenteranno le più recenti innovazioni in maschera ed il modello wafer, ispezione e metrologia che sono migliorando sia la precisione dei processi e la produttività.

Relatori: Chas Archie - Fisico Senior, IBM
Ben Bunday - Membro Senior Staff Tecnico, SEMATECH
Jo Finders - Fellow, ASML
Ted Liang - Ingegnere Senior Staff, Intel
Hans Cicogna - Chief Technology Officer della Silicon Systems Group, Applied Materials

Obert legno - dei principali membri del personale tecnico, GLOBALFOUNDRIES

Dove: Sainte Claire Hotel,
Mercato 302 S Street, San Jose, CA 95113

Quando: Mercoledì 24 febbraio 2010

Orario: 9:00 am-9: 30am registrazione
09:30-4: 30pm programma del seminario
16:30-6: 30pm Ricezione

Fonte: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 7. October 2011 05:17

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