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Posted in | Nanofabrication

应用材料公司主机关于具有成本效益的光刻技术研讨会

Published on February 23, 2010 at 4:54 AM

当前图案半导体器件的光学光刻技术正在迅速达到极限。虽然浸泡出现双重图形光刻技术扩展到19nm快闪记忆体装置和潜在的15nm的逻辑设计,EUV光刻技术被视为最有可能的继任的。

然而,这是至关重要的,EUV光刻技术及其相关流程生产准备这一重大转变 - 能够达到可接受的水平,生产能力和产量。 2月24日,应用材料将举办一个研讨会,深入探索,将成本效益的先进的缩放技术。

名为“高生产力的新一代光刻技术”,该论坛将功能从逻辑和晶圆代工制造商,研究财团和设备部门的专家。在一个整天在加利福尼亚州的圣何塞,在圣克莱尔酒店的技术演示,发言者将目前的面具和晶圆图案,检验和计量的最新进展,提高加工精度和生产率。

演讲嘉宾:CHAS阿奇 - 高级物理学家,IBM
本Bunday - SEMATECH联盟的技术人员,高级会员
乔发现者 - 研究员,ASML
特德梁 - 资深工程师,英特尔
汉斯鹳 - 硅系统集团首席技术总监,应用材料公司

Obert木 - 主要成员的技术人员,GLOBALFOUNDRIES

地点:圣克莱尔酒店,
302的市场街,圣何塞,CA 95113

当:2010年2月24日,

附表:9:00 AM - 9:30AM登记
上午9:30 - 4:30PM研讨会方案
下午4:30 - 6:30PM接收

来源: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 9. October 2011 04:36

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