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Posted in | Nanofabrication

應用材料公司主機關於具有成本效益的光刻技術研討會

Published on February 23, 2010 at 4:54 AM

當前圖案半導體器件的光學光刻技術正在迅速達到極限。雖然浸泡出現雙重圖形光刻技術擴展到19nm快閃記憶體裝置和潛在的15nm的邏輯設計,EUV光刻技術被視為最有可能的繼任的。

然而,這是至關重要的,EUV光刻技術及其相關流程生產準備這一重大轉變 - 能夠達到可接受的水平,生產能力和產量。 2月24日,應用材料將舉辦一個研討會,深入探索,將成本效益的先進的縮放技術。

名為“高生產力的新一代光刻技術”,該論壇將功能從邏輯和晶圓代工製造商,研究財團和設備部門的專家。在一個整天在加利福尼亞州的聖何塞,在聖克萊爾酒店的技術演示,發言者將目前的面具和晶圓圖案,檢驗和計量的最新進展,提高加工精度和生產率。

演講嘉賓:CHAS阿奇 - 高級物理學家,IBM
本Bunday - SEMATECH聯盟的技術人員,高級會員
喬發現者 - 研究員,ASML
特德梁 - 資深工程師,英特爾
漢斯鸛 - 矽系統集團首席技術總監,應用材料公司

Obert木 - 主要成員的技術人員,GLOBALFOUNDRIES

其中:聖克萊爾酒店,
302的市場街,聖何塞,CA 95113

當:2010年2月24日,

附表:9:00 AM - 9:30AM登記
上午9:30 - 4:30PM研討會方案
下午4:30 - 6:30PM接收

來源: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 4. October 2011 00:01

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