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Posted in | Nanoelectronics

STMicroelectronics は 90nm 加工技術で埋め込まれたフラッシュが付いている生産装置を発表します

Published on March 1, 2010 at 7:53 AM

STMicroelectronics (NYSE: STM は)、マイクロコントローラーの各国指導者、更に成功した STM32 グループのパフォーマンスそしてパワー消費量を改良する 2 つの重要な前進を発表しました: 90nm 加工技術で埋め込まれたフラッシュを特色にする生産装置のアベイラビリティ; そして STM32 業界標準 ARM® Cortex™ M3 プロセッサのために最適化される企業の最初適応性があるリアルタイムの (芸術) メモリ加速装置。

スマートカードおよび自動車 IC で既に証明される ST の 90nm によって埋め込まれるフラッシュ技術にてこ入れする最初の生産 STM32 のマイクロコントローラーはより速い操作、高められた周辺統合、低い電力の消費および増加されたオンチップ記録密度を提供します。 ST は発表しました 2009 年にこれらの装置を見本抽出していたことを。

所有物の芸術のメモリ加速装置は普通プロセッサがより高い動作周波数でフラッシュを待つように要求するフラッシュ・メモリの技術上のアーム皮質 M3 の固有パフォーマンス利点のバランスをとります。 CPU はそれにより増加する待っている、総合システムの速度および効率なしで 120MHz まで今動作できます。

この頻度でプロセッサの十分に 150 DMIPS パフォーマンスを解放するためには加速装置は命令先取りのキューおよび枝高速記憶装置を実行しま、フラッシュからのプログラム実行をゼロ待ち状態との 120MHz までで可能にします。 競争皮質 M3 MCUs は今パワー消費量および熱放散を高める 120MHz の上の頻度で作動によってしか STM32 に優ることができません。

使用できる今このパフォーマンスを使うと開発者はより高いマイクロコントローラーか友達 DSP を使用する必要性を保存するマイクロコントローラーのシステムの余分要素を催すことができます。 例は顧客が可聴周波符復号器、ビデオ処理機能、データ暗号、デジタルにフィルタに掛け、および多重プロトコルのゲートウェイを実行他のタスクを管理する十分な残りのリソースとのマルチメディアアプリケーションにあります。

90nm プロセスおよび芸術のメモリ加速装置から寄与する最新の STM32 等価異形暗号は埋め込まれたマイクロプロセッサ基準の借款団が作成する CoreMark™テストに従って確認されました。 CoreMark の結果は STM32 が 100MHz クロック速度で皮質M の競争相手より速い 8% を実行することを確認します。 パフォーマンス利点は 120MHz でまだより大きいです。 CoreMark の分析はまた 188µA/MHz だけ (98µA/CoreMark) のダイナミックなパワー消費量を確認します。 これは 120MHz で 22.5mA をです (およびすべての周辺装置可能になる芸術の加速装置とのフラッシュ・メモリから、実行する) 引くことと同等。

芸術のメモリ加速装置を特色にする新しい 90nm 装置は鉛の顧客で見本抽出しています。 製品の細部は今年末頃に発表されます。

ソース: http://www.st.com/stonline/

Last Update: 13. January 2012 02:14

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