Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanoelectronics

STMicroelectronics 宣佈有嵌入閃光的生產設備在 90nm 加工技術

Published on March 1, 2010 at 7:53 AM

STMicroelectronics (NYSE : STM),在微型控制器的一個世界領導人,宣佈了進一步改進其成功的 STM32 系列的性能和電力消費的二重大的預付款: 生產設備的可用性以嵌入閃光為特色的在 90nm 加工技術; 并且為 STM32 工業標準 ARM® Cortex™ M3 處理器優選的行業的第一可適應的實時 (藝術) 內存加速數。

利用 ST 的 90nm 嵌入一刹那技術的第一個生產 STM32 微型控制器,在智能卡和汽車集成電路已經證明,提供更加快速的運算、增加的外圍綜合化、低功率衝減和增加的在籌碼存儲密度。 ST 宣佈它在 2009年抽樣這些設備。

業主藝術內存加速數平衡胳膊外皮 M3 的內在的性能好處在閃存技術的,通常要求這個加工者等待閃光以更高的操作頻率。 CPU 可能現在運行至 120MHz,不用等待的,從而增長的整個系統速度和效率。

要發行處理器的 150 个 DMIPS 性能以此頻率加速數充分實施指令預取隊列和分行高速緩存,啟用從閃光的程序執行在至 120MHz 以零等待狀態。 競爭的外皮 M3 MCUs 可能通過運行只現在勝過 STM32 以在 120MHz 上的頻率,將增加電力消費和熱擴散。

可用現在此的性能,開發員能主持一個系統的額外的要素在微型控制器的,保存需要使用一個更加消耗大的微型控制器或伴隨 DSP。 示例在多媒體應用,客戶能實施音頻編解碼器、視頻處理功能,數據加密,數字式過濾和一個多重協議網關,以管理其他任務的足够的剩餘的資源。

受益於這個 90nm 進程和藝術內存加速數的最新的 STM32 變形根據嵌入微處理器基準財團創建的 CoreMark™測試被驗證了。 CoreMark 結果驗證 STM32 比外皮M 競爭對手執行 8% 快速以 100MHz 時鐘速度。 性能好處仍然是極大在 120MHz。 CoreMark 分析也確認仅 188µA/MHz (98µA/CoreMark) 的動態電力消費。 這與畫 22.5mA 是等同的在 120MHz (執行從閃存,当藝術加速數被啟用的和所有外圍設備)。

以藝術內存加速數為特色的新的 90nm 設備抽樣在線索客戶。 產品詳細資料今年下半年將宣佈。

來源: http://www.st.com/stonline/

Last Update: 25. January 2012 15:17

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit