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AIXTRON 从应用的固态物理学 Fraunhofer 学院收到订单

Published on March 23, 2010 at 3:48 AM

AG AIXTRON 今天宣布了从其长期客户的顺序,位于弗莱堡 (IAF) Fraunhofer 学院的应用的固态物理学,德国。 IAF 预定一位 AIX 2800G4 HT, 11x4 英寸它为在 SiC 的 GaN 使用大功率的 MOCVD 工具,高频率应用在不久的将来启用 GaN 设备的商品化。

IAF 在第四季度安置了其顺序 2009年,并且 AIXTRON 的流动代课教师组在他们的第三季度的实验室将安装并且委任新的反应器 2010年。

克劳斯 Koehler, IAF 的外延组的 Dept. Head 代理博士在 GaN 的发展评论, “我们已经做一个好起始时间在 SiC 晶体管的在我们现有的 AIXTRON 反应器。 然而,我们现在需要极大扩展我们的功能。 新的反应器为 AlGaN/GaN 在半绝缘 SiC 基体的 4 英寸的基于 HEMT (高电子迁移率晶体管) 结构增长将使用。 此新的系统我们将达到为 AlGaN/GaN 基于功率放大器和 MMICs 的制造是必要的最高的均一和水晶质量。

AIX 2800G4 HT 将使我们容易地称至 11x4 英寸薄酥饼和到 6x6 英寸在将来的点。 它有我们需要例如均一和效率在设置如所需求为在 SiC 晶体管的 GaN 的生产大功率的所有特性,高频率商务应用。 另外,它有这个范围提供我们以 GaN 在 Si epiwafer 功能如果这种应用要求那”。

当今年下半年时,输送 AIX 2800G4 HT 弗兰克 Schulte, AIXTRON 欧洲的副总统博士补充说, “与 IAF 的长年的卓有成效的科学合作采取了另一个关键步骤。 这个系统将使他们进一步优选这些设备性能和加工技术”。

Last Update: 12. January 2012 22:37

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