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Posted in | Nanobusiness

AIXTRON 從應用的固態物理學 Fraunhofer 學院收到訂單

Published on March 23, 2010 at 3:48 AM

AG AIXTRON 今天宣佈了從其長期客戶的順序,位於弗萊堡 (IAF) Fraunhofer 學院的應用的固態物理學,德國。 IAF 預定一位 AIX 2800G4 HT, 11x4 英寸它為在 SiC 的 GaN 使用大功率的 MOCVD 工具,高頻率應用在不久的將來啟用 GaN 設備的商品化。

IAF 在第四季度安置了其順序 2009年,并且 AIXTRON 的流動代課教師組在他們的第三季度的實驗室將安裝并且委任新的反應器 2010年。

克勞斯 Koehler, IAF 的外延組的 Dept. Head 代理博士在 GaN 的發展評論, 「我們已經做一個好起始時間在 SiC 晶體管的在我們現有的 AIXTRON 反應器。 然而,我們現在需要極大擴展我們的功能。 新的反應器為 AlGaN/GaN 在半绝緣 SiC 基體的 4 英寸的基於 HEMT (高電子遷移率晶體管) 結構增長將使用。 此新的系統我們將達到為 AlGaN/GaN 基於功率放大器和 MMICs 的製造是必要的最高的均一和水晶質量。

AIX 2800G4 HT 將使我們容易地稱至 11x4 英寸薄酥餅和到 6x6 英寸在將來的點。 它有我們需要例如均一和效率在設置如所需求為在 SiC 晶體管的 GaN 的生產大功率的所有特性,高頻率商務應用。 另外,它有這個範圍提供我們以 GaN 在 Si epiwafer 功能如果這種應用要求那」。

當今年下半年時,輸送 AIX 2800G4 HT 弗蘭克 Schulte, AIXTRON 歐洲的副總統博士補充說, 「與 IAF 的長年的卓有成效的科學合作採取了另一個關鍵步驟。 這個系統將使他們進一步優選這些設備性能和加工技術」。

Last Update: 25. January 2012 16:36

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