Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanofabrication

应用的材料引入 InVia 系统制造高长宽比 TSVs

Published on March 30, 2010 at 2:44 AM

Applied Materials, Inc. 今天被添加到 3D 与其应用的 Producer® InVia™电介质证言系统生成的筹码包装的解决方法其广泛的线路。

使用一个唯一 CVD 进程,新的应用的生产者 InVia 系统提供存款的重要氧化物划线员影片层一个创新方法在高长宽比 TSV 结构

使用一个唯一 CVD 进程, InVia 系统通过结构提供存款的重要氧化物划线员影片层一个创新方法在高 (HAR)长宽比 (TSV)通过硅。 提供在最大的深度的保形覆盖范围这些富挑战性的功能, InVia 进程启用是对可靠的设备性能至关重要 TSV 的稳健电子隔离 -。

TSVs 作用在涌现的 3D 包装的模式,垂直被堆积提高速度和低功率冲减的电子连接的筹码的一个关键角色。 二个主要技术,称通过第一和通过中间, TSVs 被制造以及设备的晶体管并且互联层、聘用优越设计灵活性和设备功能,但是存在了绝缘的划线员进程的一个重大的挑战。 InVia 系统的所有权加工技术比 10:1 HAR vias 接受两个技术,存款的统一,在极大厚实的氧化膜的挑战,当符合热量预算要求时。

实施在应用的得奖的生产者 GT™平台, InVia 系统提供强制的好处超过竞争的技术。 这个系统比批熔炉比一半有更高的处理量,以这个功能处理八倍更多薄酥饼每时数在较少费用,特别是当存款非常厚实的划线员的高性能应用时。 竞争的 PECVD 系统无法均匀地存款深的氧化膜,缩小的 vias,使此途径不合适为 HAR 应用。

“与 InVia 系统的生成,我们现在提供客户以一个全面解决方法为制造高长宽比 TSVs”,总经理说比尔 McClintock,副总统和应用的 DSM 和 CMP 营业单位。 “从铭刻和通过划线员,到金属装载和 planarization,我们可以提供芯片制造者一个有效,迅速路径实施他们的最富挑战性的 3D 包装的模式和迅速带来他们令人激动的新产品销售”。

来源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 07:56

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit