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AIXTRON Recebe o Pedido para o Sistema do Depósito da Magia Negra do Centro da Nanotecnologia do Birck de Universidade de Purdue

Published on March 30, 2010 at 3:11 AM

AIXTRON AG anunciaram hoje um pedido para um sistema do depósito da Magia Negra do Centro da Nanotecnologia do Birck de Universidade de Purdue em Lafayette Ocidental, DENTRO, EUA. O pedido é para um sistema da configuração da bolacha de 2 polegadas para o depósito de nanomaterials do carbono e de óxidos altos-k pelo depósito atômico da camada (ALD). O pedido foi recebido no quarto trimestre de 2009 e o sistema será entregado no segundo trimestre de 2010.

Ao reconhecer o Escritório da Pesquisa do Exército para o apoio deste projecto com o Departamento dos E.U. do programa do DURIP de Defesa, o Professor Adjunto Peide YE da Universidade de Purdue comenta, “A plataforma da Magia Negra CVD/PECVD é vital a nossos projectos de investigação avançados em curso da caracterização do dispositivo do CMOS. Este sistema primeiro--um-amável do CVD da duplo-configuração permitirá que nós a não somente realizem CNT e depósito do graphene mas igualmente preparem óxidos altos-k por ALD in situ. Ter esta capacidade original em Birck significa que nós poderemos aperfeiçoar o carbono/materiais óxido-baseados para os canais do dispositivo da próxima geração. A vantagem de preparar o óxido in situ directamente depois que o crescimento do canal é que elimina potencial a contaminação e a carga prendida, conduzindo a um canal/óxido mais limpos conecta e melhora o desempenho do dispositivo.”

Aberto em julho de 2005, os $58 milhões, 187.000 quadrados. o ft., Centro da Nanotecnologia de Birck inclui uns 25.000 quadrados. ft. Sala de limpeza da nanofabricação da Classe 1-10-100 - o Laboratório da Nanofabricação de Scifres. A facilidade tem muitas características avançadas tais como baixas salas especiais da vibração para a pesquisa do nanostructure com temperatura precisa e controle ambiental. O centro igualmente abriga outros laboratórios para o nanophotonics, o crescimento de cristal, eletrônica molecular, MEMS e NEMS, a análise de superfície, o SEM/TEM e caracterização elétrica. Além, tem uma facilidade original da incubadora da nanotecnologia para transferência da interacção e da tecnologia com indústria.

O Dr. Rainer Beccard, Vice-presidente Mercado em AIXTRON, promove comentários. “Quando a pesquisa progredir para a realização da Lei de Moore com a possibilidade de introduzir materiais de III-V como o material do canal do dispositivo, os outros materiais do canal baseados no carbono estão sendo investigados igualmente agora como as opções futuras. O equipamento do MOCVD da escala do 300mm-wafer de AIXTRON tem sido usado já em outros lugar para materiais do canal de III-V. Com a aplicação original da capacidade de CNT/graphene/ALD em Purdue, os pesquisadores podem igualmente explorar os desafios de nanomaterials de integração do carbono no canal do dispositivo.”

Last Update: 12. January 2012 23:41

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