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AIXTRON接收来自普渡大学Birck纳米技术中心为黑色魔术沉积系统

Published on March 30, 2010 at 3:11 AM

AIXTRON AG公司今天宣布,为了一个黑色魔术沉积系统在西拉斐特的普渡大学的大学Birck纳米技术中心,美国, 。该命令是为2英寸晶圆的配置系统的碳纳米材料的沉积和原子层沉积(ALD)的高k氧化物的。接到命令,在2009年第四季度,该系统将在2010年第二季度交付。

虽然承认该项目的支持通过的国防部DURIP计划的美国部,助理教授培德叶普渡大学的大学评论美国陆军研究办公室,“”黑色魔术CVD / PECVD平台是我们正在进行的先进的CMOS器件特性的研究项目至关重要。这第一次的一类双配置CVD系统将使我们不仅开展碳纳米管和石墨烯沉积,但还准备在ALD原地高k氧化物。有了这个独特的能力,在大学Birck,意味着我们将能够为下一代设备的渠道优化碳/氧化物基材料。渠道增长的准备后,在原址直接氧化的好处是,它可能消除污染和陷阱电荷,导致清洁通道/氧化物界面和更好的设备的性能。“

2005年7月开业,5800万美元,187000平方英尺,Birck纳米技术中心包括25,000平方英尺类1-10-100纳米加工洁净室 - Scifres纳米加工实验室。该工厂有许多国家的最先进的低,振动小室,特殊的纳米结构研究与精确的温度和环境控制等功能。该中心还设有其他实验室为纳米光子学,晶体生长,分子电子学,MEMS和NEMS,表面分析,SEM / TEM和电气特性。此外,它具有独特的纳米技术与业界的互动和技术转移的孵化器设施。

莱纳Beccard博士,副总裁AIXTRON的营销,进一步的评论。 “虽然研究已实现设备通道的材料,在其他渠道的碳材料的III - V材料的可能性摩尔定律进步现在正在调查,作为未来的选择。AIXTRON的300毫米的晶圆规模的MOCVD设备已已被使用在III - V族沟道材料的其他地点。CNT /石墨/ ALD的能力,在普渡大学的独特的实施,研究人员还可以探讨相结合的碳纳米材料在设备通道的挑战。“

Last Update: 15. November 2011 17:04

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