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AIXTRON接收來自普渡大學 Birck納米技術中心為黑色魔術沉積系統

Published on March 30, 2010 at 3:11 AM

AIXTRON AG公司今天宣布,為了一個黑色魔術沉積系統在西拉斐特的普渡大學的大學Birck納米技術中心,美國, 。該命令是為 2英寸晶圓的配置系統的碳納米材料的沉積和原子層沉積(ALD)的高k氧化物的。接到命令,在2009年第四季度,該系統將在2010年第二季度交付。

雖然承認該項目的支持通過的國防部 DURIP計劃的美國部,助理教授培德葉普渡大學的大學評論美國陸軍研究辦公室,“”黑色魔術 CVD / PECVD平台是我們正在進行的先進的CMOS器件特性的研究項目至關重要。這第一次的一類雙配置CVD系統將允許,我們不僅開展碳納米管和石墨烯沉積,但還準備在ALD原地高k氧化物。有了這個獨特的能力,在大學 Birck,意味著我們將能夠為下一代設備的渠道優化碳/氧化物基材料。渠道增長的準備後,在原址直接氧化的好處是,它可能消除污染和陷阱電荷,導致清潔通道/氧化物界面和更好的設備的性能。“

2005年7月開業,5800萬美元,187000平方英尺,Birck納米技術中心包括25,000平方英尺類 1-10-100納米加工潔淨室 - Scifres納米加工實驗室。該工廠有許多國家的最先進的低,振動小室,特殊的納米結構研究與精確的溫度和環境控制等功能。該中心還設有其他實驗室為納米光子學,晶體生長,分子電子學,MEMS和NEMS,表面分析,SEM / TEM和電氣特性。此外,它具有獨特的納米技術與業界的互動和技術轉移的孵化器設施。

萊納 Beccard博士,副總裁 AIXTRON的營銷,進一步的評論。 “雖然研究已實現設備通道的材料,在其他渠道的碳材料的III - V材料的可能性摩爾定律進步現在正在調查,作為未來的選擇。AIXTRON的300毫米的晶圓規模的MOCVD設備已已被使用在III - V族溝道材料的其他地點。CNT /石墨/ ALD的能力,在普渡大學的獨特的實施,研究人員還可以探討相結合的碳納米材料在設備通道的挑戰。“

Last Update: 14. October 2011 11:14

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