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技术文件估计使用的新的 III-V 材料先进技术

Published on April 2, 2010 at 7:19 PM

面对财务约束和严重的技术挑战,半导体行业必须实践创造性的协作生存,增长,并且涌现的行业的连结, SEMATECH 丹 Armbrust 总裁兼 CEO 在最近施政演说中说对 SEMATECH 的 2010 表面处理和清洗会议 (SPCC) 在奥斯汀, TX。

“我们的成功作为行业将取决于我们多么恰当对合作 R&D 创新”, Armbrust 说。 “我们需要是在适用半导体功能的领导先锋于新兴技术”。

Armbrust 说,当整体经济看上去改善时,筹码行业继续埋头苦干合并,上涨的 R&D 费用,铺平收入增长和越来越困难技术目标。 给出这些情况,协作变得越来越接受作为必要,并且有效经营战略,他注意。

“协作是路径对生存,并且在一个更改的行业的增长”, Armbrust 告诉了大约 150 个会议参与者。 “挑战是在工业部门间的全球和剪切。 解决方法要求重大的投资和杠杆作用的资助。 我们需要鼓励在创造性的合作 - 学科和两地间的协作、行业大学政府联盟和汇合的新的实验与新兴技术和行业”。

Armbrust 说半导体行业是一个合作开拓者,形成财团共享资源,费用和风险; 开发行业模式; 举行为行业对话和建立共识的论坛; 并且创建标准和基础设施主要技术转移的。

“但是我们可以执行更好”,他通过测试新的方式宣称,带领大学研究进入行业主流,发展在芯片制造商和设备和材料制造商之间的新的合伙企业加速商品化和形成与涌现的行业的协作在 nanoelectronics、能源和生物工艺学方面。

“半导体是这些新的行业的基础”, Armbrust 说。 “硅制造可以适用于 nanodevice 制造。 我们的物质知识适用于物质和薄膜发展。 并且我们的在物质物理和根本科学的行业的经验与聪明的系统和设备发展是相关的”。

在筹码行业内, Armbrust 说 SEMATECH 通过提供交战几条新的大道重新解释协作:

  • 编程与供应商的早产品开发需要对齐 consortial R&D 的会员。 二个示例是 SEMATECH 在 Nanoscale 大学的科学和工程学院抵抗材料开发中心和屏蔽空白开发中心在阿尔巴尼。
  • 允许芯片制造商,供应商, fabless 的灵活的程序结构和集合/包装公司与 SEMATECH 衔接共同加速商业设备和标准材料的发展。
  • SEMATECH 最近被生成的 EUV 屏蔽基础设施财团,当最初成员承诺给识别和关闭在 EUV 的基础建设的问题屏蔽计量学
  • 在工业部门间的参与在开发 3D 互联使用启用系统生产力提高除比例缩放外并且允许新的系统在筹码应用的异种综合化的通过硅 vias-an 行业比赛更换者
  • 环境、安全卫生 (ESH) 主动性驱动能承受的制造和减少行业的环境脚印的通过能源和资源守恒,供应链对准线、环境友好的工艺过程开发和其他评定。 国际 SEMATECH 制造主动性的 ESH 技术中心被形成帮助设备制造商和供应商继续处理这样目的
  • 与超过寻求项目的全世界 80 所大学的协作在重要逻辑和存储技术 - 包括这样区象高级材料、先进的设备和之后 CMOS 材料和结构。 每所大学与 SEMATECH 一起使用共同发展导致商业工具的进程。

Armbrust 的备注先于接近从行业供应商, FEP 的 30 个前进技术介绍和国际 SEMATECH 制造主动性 (ISMI)。 他们包括:

  • 在 FEP 的成功的一份被邀请的文件在使用其次泛音生成 (SHG)评估另外表面的作用清洗,并且吉米 Price,成员 (InGaAs)技术人员博士提供在铟砷化镓的钝化处理。 价格说这个能力准确地分析 III-V 表面和界面使用 SHGhighlights 此技术潜在,适当一个轴向计量学的系统的基于 InGaAs 的筹码制造。 “我们现在有进程和设备工程师能取决于监控 III-V 表面和界面的质量的一个非侵入性的方法”,他注意。
  • 由迈克尔 Frisch, EHS 项目经理的一个基准点研究国际 SEMATECH 制造主动性的 (ISMI),在回收和恢复很好和集合测试污水的机会。 Frisch 的研究在成员公司很好的站点显示了保存的 51亿加仑回收 (gpy)和开垦机会每年和 217 百万 gpy 在集合试验基地。 要发挥此潜在,这个研究推荐着重回收处理冲洗水和恢复批量污水在成员 fabs。
  • 由 FEP 表面处理的项目经理 Casey 史密斯博士的一个分析和清洗新兴技术的挑战。 Graphene 看来是非硅 RF 应用的有为的通道材料,虽然污染物一定是受控的,不用氧化的化学避免损害材料,史密斯注意。 对非平面的技术例如多门场效应晶体管 (MuGFETs),仔细修改清洗顺序是需要的形成残滓自由的 3D 门,特别是严密的间距格式的。
  • 理查博士小山, FEP 设备工程师,概述机会和挑战,如果 III-V MOSFETs。 小山说, “它变得更加富挑战性继续称硅,不用在流动性和速度的牺牲。 您能仍然称与硅,但是它来在费用”。 相反, III-V 通道提供重大的性能福利,例如更高的流动性和改进的激励电流,将允许持续的称和性能改善。 然而,小山通过讨论依然存在的综合化挑战合格了他的乐观,最大是电介质界面质量。

超过 10 年, SPCC 带来从行业和学术界的研究员着重在先进的薄酥饼和屏蔽清洁和的挑战表面处理。 SPCC 是的 SEMATECH 知识串联套的一部分着重重要挑战的加速的解决方法在 nanoelectronics 行业唯一机会。

Last Update: 12. January 2012 07:56

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