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D2S Para Proporcionar al Diseño para la Tecnología (DFEB) de la Máscara del E-Haz para el Sistema del JBX-3200MV de JEOL

Published on April 14, 2010 at 4:15 AM

D2S, un diseño emergente y empresa de informática, anunció hoy una sociedad con la pieza Preliminar JEOL Ltd del eBeam compañero. para proporcionar a una nueva infraestructura de la preparación de datos (MDP) de la máscara que se optimiza para el nuevo sistema de escritura de la máscara del JBX-3200MV de JEOL. JEOL, líder mundial en el equipo óptico del electrón e instrumentación, utilizará la tecnología patente-pendiente, modelo-basada de D2S de MDP para la litografía variable-dada forma (VSB) del haz y la opción circular nuevo-anunciada de la apertura para su herramienta de JBX-3200MV. Junto, la dotación física del sistema de JEOL y tecnología de la máscara de D2S DFEB activarán el uso de características principales circulares y de características curvilíneas de la ayuda en los photomasks-esencial avanzados que amplían el uso de la litografía óptica para 22 nanómetro-y-debajo del tramitación del circuito integrado (IC).

Mientras Que la industria del semiconductor emigra a 22 nanómetro el nodo, la profundidad del enfoque de los contactos y los vias se convierten en una edición grande. Características Curvilíneas de la ayuda en socorro de los photomasks en producir una profundidad del enfoque más alta. Además, características principales circulares como los contactos y los vias, en vez de cuadrados, ayudas con la uniformidad crítica de la dimensión, otra consideración importante del manufacturability. Tradicionalmente, costos más altos de la máscara que resultaban de cuentas crecientes del tiro han prevenido características curvilíneas de la ayuda y características principales circulares. La tecnología de la máscara de D2S DFEB permite a la conexión entre la fabricación y el diseño proporcionar a una solución que leverages la naturaleza de redondeo de e-haces para reducir importante cuenta del tiro y para escribir las épocas para las características curvilíneas de la ayuda. Equipan al programa de escritura del JBX-3200MV de JEOL de las aperturas circulares para disparar los tiros circulares del e-haz de diversas tallas eficientemente. Junto, los photomasks con las características principales circulares y las características curvilíneas de la ayuda se pueden disparar eficientemente. Esto permite que las máscaras del costo y del rendimiento razonables produzcan el mejor que rinde los fulminantes para el nodo de la lógica de 22 nanómetro.

Director General del Departamento de Tecnología Avanzada en HOYA Corporation, H. Kinoshita, conocido, “Hemos estado utilizando el nuevo sistema del JBX-3200MV de JEOL en nuestro recurso y hemos experimentado resultados positivos. Aserramos al hilo que este sistema puede ayudar a quitar la barricada del e-haz para 22 nanómetro-y-debajo de nodos. Como consecuencia, nuestra sociedad con JEOL provee de nosotros una solución de poco costo que active nuestro mapa itinerario del producto para la producción avanzada del photomask.”

Está un ejemplo Director General de las Operaciones Comerciales en JEOL, W. Wakamiya del Equipo del Semiconductor, explicado, “Nuestro nuevo sistema de JBX-3200MV donde así como D2S modelo-basó tecnología de MDP, podíamos producir a un programa de escritura de la máscara que es determinado conveniente para el nodo de 22 nanómetro donde las características principales circulares y las características curvilíneas de la ayuda llegarán a ser cada vez más deseables. Valoramos nuestra sociedad con D2S a medida que continuamos desarrollar las soluciones de poco costo para la producción de photomasks ópticos avanzados.”

“Este aviso es un ejemplo cómo una sociedad fructuosa entre el diseño y la fabricación puede avance el estado plus ultra para la tecnología de la máscara-escritura,” de Aki declarado Fujimura, Presidente y Director General de D2S. “Para analizar la barrera a usar los círculos, requirió la fabricación y el diseño que trabajaban junto. Observamos hacia adelante al trabajo con JEOL y todos nuestros socios globales para proporcionar a las innovaciones que llenan el vacío entre el diseño y la fabricación con tecnologías del e-haz para activar la litografía óptica de poco costo en los nodos futuros.”

En el Photomask Japón 2010, las piezas Preliminares JEOL del eBeam y D2S presentará un papel titulado la “Mejor Profundidad del Enfoque en 22 Fulminantes de la Lógica del nanómetro con Menos Cuenta del Tiro” el 15 de abril, durante la sesión Máscara-Relacionada de la Litografía a partir del 10:30 - 10:50 Mañana Además, las piezas Preliminares JEOL, Petersen Avance la Litografía y D2S presentará un papel titulado Dimensiones De Una Variable “Onduladas” del Metal 1 de la “Escritura en 22 Fulminantes de la Lógica del nanómetro con Menos Cuenta del Tiro” el 15 de abril, durante la sesión de EDA, de DFM y de MDP a partir del 11:10 - Photomask Japón 2010 de la Mañana del 11:30 será sujetado el 13-15 de abril en Pacifico Yokohama en Yokohama, Japón.

Ambos papeles representan los primeros ejemplos publicados de la tecnología de la máscara de DFEB que son desplegados con éxito en photomasks avanzados en menos dispararon cuentas y menos escribir-tiempo que técnicas tradicionales de la escritura del e-haz. Esto demuestra la capacidad de la tecnología de la máscara de DFEB de ayudar a ampliar la litografía óptica al nodo de la lógica de 22 nanómetro de una manera práctica.

Last Update: 12. January 2012 23:00

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