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D2S Pour Fournir le Design pour la Technologie (DFEB) de Masque d'E-Poutre pour le Système du JBX-3200MV de JEOL

Published on April 14, 2010 at 4:15 AM

D2S, un design apparaissant et fournisseur de logiciel, a aujourd'hui annoncé un partenariat avec le membre Initiatique JEOL Ltd. d'eBeam semblable pour fournir une infrastructure neuve de préparation de données (MDP) de masque qui est optimisée pour le système d'écriture neuf de masque du JBX-3200MV de JEOL. JEOL, un leader mondial dans le matériel optique d'électron et instrumentation, utilisera le brevet en instance de D2S, technologie modèle-basée de MDP pour la lithographie en forme variable (VSB) de poutre et l'option circulaire neuf-annoncée d'ouverture pour son outil de JBX-3200MV. Ensemble, le matériel du système de JEOL et technologie du masque de D2S DFEB activeront l'utilisation des principales caractéristiques circulaires et des caractéristiques techniques curvilignes d'aide sur les photomasks-essentiel avancés étendant l'utilisation de la lithographie optique pour 22 nanomètre-et-ci-dessous le traitement de circuit intégré (IC).

Pendant Que l'entreprise de semiconducteurs migre au noeud de 22 nanomètre, la profondeur du centre des contacts et les vias deviennent une grande délivrance. Caractéristiques techniques Curvilignes d'aide sur l'aide de photomasks en produisant une profondeur de foyer plus élevée. De plus, principales caractéristiques circulaires comme contacts et vias, au lieu des carrés, aides avec l'uniformité critique de cote, un autre critère important de manufacturability. Traditionnellement, des coûts plus élevés de masque résultant des comptes accrus de piqûre ont évité les caractéristiques techniques curvilignes d'aide et les principales caractéristiques circulaires. La technologie de masque de D2S DFEB permet à la connexion entre la fabrication et le design de fournir une solution qui influence la nature de arrondissage des e-poutres pour réduire de manière significative le compte de piqûre et pour écrire des périodes pour les caractéristiques techniques curvilignes d'aide. L'auteur du JBX-3200MV de JEOL est équipé des ouvertures circulaires pour tirer les piqûres circulaires d'e-poutre des tailles variées efficacement. Ensemble, les photomasks avec les principales caractéristiques circulaires et les caractéristiques techniques curvilignes d'aide peuvent être piqûre efficacement. Ceci permet à des masques de coût et de rendement raisonnables de produire le meilleur fournissant des disques pour le noeud de logique de 22 nanomètre.

Directeur Général de Service de Technologie De Pointe à la Société de HOYA, H. Kinoshita, remarquable, « Nous avions utilisé le système neuf du JBX-3200MV de JEOL à notre dextérité et avons remarqué des résultats positifs. Nous nous sentons que ce système peut aider à retirer le barrage de route d'e-poutre pour 22 nanomètre-et-ci-dessous des noeuds. En conséquence, notre partenariat avec JEOL nous fournit une solution à coût efficace qui active notre calendrier de lancement de produit pour la production avancée de photomask. »

Directeur Général des Opérations Commerciales De Matériel de Semi-conducteur à JEOL, W. Wakamiya, expliqué, « Notre système neuf de JBX-3200MV est un exemple où avec la technologie modèle-basée de D2S MDP, nous pouvions produire un auteur de masque qui est particulièrement adapté pour le noeud de 22 nanomètre où les principales caractéristiques circulaires et les caractéristiques techniques curvilignes d'aide deviendront de plus en plus désirables. Nous évaluons notre partenariat avec D2S pendant que nous continuons à développer des solutions à coût efficace pour la production des photomasks optiques avancés. »

« Cette annonce est un exemple comment un partenariat fructueux entre le design et la fabrication peut avancer la situation actuelle pour la technologie de masque-écriture, » d'Aki Fujimura, Président et Directeur Général indiqué de D2S. « Pour supprimer à utiliser des cercles, elle a exigé la fabrication et le design fonctionnant ensemble. Nous attendons avec intérêt de fonctionner avec JEOL et tous nos associés globaux pour fournir les innovations qui établissent le lien entre le design et la fabrication avec des technologies d'e-poutre pour activer la lithographie optique rentable à de futurs noeuds. »

Au Photomask Japon 2010, aux membres Initiatiques JEOL d'eBeam et au D2S présentera un papier intitulé la « Meilleure Profondeur du Foyer sur 22 Disques de Logique de nanomètre avec Moins de Compte de Piqûre » le 15 avril, pendant la séance Liée au masque de Lithographie à partir de 10h30 - 10h50 du matin De plus, les membres Initiatiques JEOL, Petersen Ont Avancé la Lithographie et D2S présentera un papier intitulé Formes « Ondulées des » En Métal 1 de « Écriture sur 22 Disques de Logique de nanomètre avec Moins de Compte de Piqûre » le 15 avril, pendant la séance d'EDA, de DFM et de MDP à partir de 11h10 - Photomask Japon 2010 de 11h30 du matin sera retenu les 13-15 avril chez Pacifico Yokohama à Yokohama, Japon.

Les Deux papiers représentent les premiers exemples publiés de la technologie de masque de DFEB étant avec succès déployée sur les photomasks avancés dans moins ont tiré des comptes et moins d'écrire-temps que des techniques traditionnelles d'écriture d'e-poutre. Ceci explique la capacité de la technologie de masque de DFEB d'aider à étendre la lithographie optique au noeud de logique de 22 nanomètre d'une façon pratique.

Last Update: 13. January 2012 00:06

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