提供设计的 D2S 为 E 射线 JEOL 的 JBX-3200MV 系统的屏蔽技术

Published on April 14, 2010 at 4:15 AM

D2S,涌现的设计和软件公司,今天宣布与 eBeam 主动的成员 JEOL 有限公司的合伙企业提供为 JEOL 的新的 (MDP) JBX-3200MV 屏蔽文字系统被优选的新的屏蔽数据准备基础设施。 JEOL,在电子光学设备的一个世界领导人和手段,为可变型射线石版印刷和新宣布的圆的开口选项 (VSB)将使用 D2S 专利待定,基于设计的 MDP 技术的其 JBX-3200MV 工具。 同时, JEOL 的系统硬件和 D2S DFEB 屏蔽技术将启用使用圆的主要功能和曲线协助功能在扩大使用光学制版的先进的光掩膜重要 22 毫微米和在集成电路 (集成电路) 处理下的。

当半导体行业移居对这个 22 nm 节点,景深联络的和 vias 成为一个大问题。 在光掩膜帮助的曲线协助功能在导致更高的景深。 另外,圆的主要功能作为联络和 vias,而不是正方形,帮助与重要维数均一,另一个重要 manufacturability 标准。 传统上,起因于增加的射击计数的更高的屏蔽费用防止了曲线协助功能和圆的主要功能。 D2S DFEB 屏蔽技术使制造和设计之间的连接数提供利用 e 射线的舍入的本质极大减少射击计数和写曲线协助功能的时期的解决方法。 JEOL 的 JBX-3200MV 作家装备以圆的开口高效地射击多种范围圆的 e 射线射击。 同时,与圆的主要功能和曲线协助功能的光掩膜可以高效地被射击。 这允许合理的费用和产量屏蔽导致产生 22 nm 逻辑节点的最好薄酥饼。

先进技术部门的总经理在霍亚公司的, H. Kinoshita,注意, “我们使用 JEOL 的新的 JBX-3200MV 系统在我们的设备和体验正面结果。 我们感到此系统可能帮助去除 22 毫微米和在节点下的 e 射线路障。 结果,我们的与 JEOL 的合伙企业提供我们以启用我们的先进的光掩膜生产的产品模式的一个有效解决方法”。

半导体设备在 JEOL 的经营活动, W. 若宫总经理,解释, “我们新的 JBX-3200MV 系统是与 D2S 一起设计根据 MDP 技术的示例,我们能生产特别适用于 22 nm 节点圆的主要功能和曲线协助功能将变得越来越理想的屏蔽作家。 我们重视我们的与 D2S 的合伙企业,当我们继续开发先进的光学光掩膜的生产的有效解决方法”。

“此声明是如何可能提前屏蔽文字技术的科技目前进步水平”,指明的 Aki Fujimura, D2S 的总裁兼 CEO 的示例在设计和制造之间的一家卓有成效的合伙企业。 “划分这个障碍到使用圈子,它要求了共同努力的制造和的设计。 我们盼望与 JEOL 和所有我们的全球合作伙伴一起使用提供缩小设计和制造之间的差距与 e 射线技术启用有效光学制版在将来的节点的创新的”。

在光掩膜日本 2010年, eBeam 主动的成员 JEOL 和 D2S 在横滨,日本将介绍在从 10:30 - 另外 10:50 上午的屏蔽关连的石版印刷会议期间题为的 “最佳的景深在 22 nm 逻辑薄酥饼的与较少射击计数”在 4月 15日,一份论文,主动的成员 JEOL, Petersen 提前石版印刷,并且 D2S 将介绍在从 11:10 的 EDA、 DFM 和 MDP 会议期间题为的 “在 22 nm 逻辑薄酥饼的文字 ‘波浪’金属 1 形状与较少射击计数”在 4月 15日,一份论文 - 11:30 上午光掩膜日本 2010 将被暂挂在 Pacifico 横滨的 4月 13-15。

在少量的先进的光掩膜比传统 e 射线文字技术表示 DFEB 屏蔽技术的第一个发布示例顺利地部署的两份文件射击了计数和较少写时间。 这展示 DFEB 屏蔽技术的能力帮助对 22 nm 逻辑节点扩大光学制版以一个实用的方式。

Last Update: 11. January 2012 21:35

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