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提供設計的 D2S 為 E 射線 JEOL 的 JBX-3200MV 系統的屏蔽技術

Published on April 14, 2010 at 4:15 AM

D2S,湧現的設計和軟件公司,今天宣佈與 eBeam 主動的成員 JEOL 有限公司的合夥企業提供為 JEOL 的新的 (MDP) JBX-3200MV 屏蔽文字系統被優選的新的屏蔽數據準備基礎設施。 JEOL,在電子光學設備的一個世界領導人和手段,為可變型射線石版印刷和新宣佈的圓的開口選項 (VSB)將使用 D2S 專利待定,基於設計的 MDP 技術的其 JBX-3200MV 工具。 同時, JEOL 的系統硬件和 D2S DFEB 屏蔽技術將啟用使用圓的主要功能和曲線協助功能在擴大使用光學制版的先進的光掩膜重要 22 毫微米和在集成電路 (集成電路) 處理下的。

當半導體行業移居對這個 22 nm 節點,景深聯絡的和 vias 成為一個大問題。 在光掩膜幫助的曲線協助功能在導致更高的景深。 另外,圓的主要功能作為聯絡和 vias,而不是正方形,幫助與重要維數均一,另一個重要 manufacturability 標準。 傳統上,起因於增加的射擊計數的更高的屏蔽費用防止了曲線協助功能和圓的主要功能。 D2S DFEB 屏蔽技術使製造和設計之間的連接數提供利用 e 射線的舍入的本質極大減少射擊計數和寫曲線協助功能的時期的解決方法。 JEOL 的 JBX-3200MV 作家裝備以圓的開口高效地射擊多種範圍圓的 e 射線射擊。 同時,與圓的主要功能和曲線協助功能的光掩膜可以高效地被射擊。 這允許合理的費用和產量屏蔽導致產生 22 nm 邏輯節點的最好薄酥餅。

先進技術部門的總經理在霍亞公司的, H. Kinoshita,注意, 「我們使用 JEOL 的新的 JBX-3200MV 系統在我們的設備和體驗正面結果。 我們感到此系統可能幫助去除 22 毫微米和在節點下的 e 射線路障。 結果,我們的與 JEOL 的合夥企業提供我們以啟用我們的先進的光掩膜生產的產品模式的一個有效解決方法」。

半導體設備在 JEOL 的經營活動, W. 若宮總經理,解釋, 「我們新的 JBX-3200MV 系統是與 D2S 一起設計根據 MDP 技術的示例,我們能生產特別適用於 22 nm 節點圓的主要功能和曲線協助功能將變得越來越理想的屏蔽作家。 我們重視我們的與 D2S 的合夥企業,當我們繼續開發先進的光學光掩膜的生產的有效解決方法」。

「此聲明是如何可能提前屏蔽文字技術的科技目前進步水平」,指明的 Aki Fujimura, D2S 的總裁兼 CEO 的示例在設計和製造之間的一家卓有成效的合夥企業。 「劃分這個障礙到使用圈子,它要求了共同努力的製造和的設計。 我們盼望與 JEOL 和所有我們的全球合作夥伴一起使用提供縮小設計和製造之間的差距與 e 射線技術啟用有效光學制版在將來的節點的創新的」。

在光掩膜日本 2010年, eBeam 主動的成員 JEOL 和 D2S 在橫濱,日本將介紹在從 10:30 - 另外 10:50 上午的屏蔽關連的石版印刷會議期間題為的 「最佳的景深在 22 nm 邏輯薄酥餅的與較少射擊計數」在 4月 15日,一份論文,主動的成員 JEOL, Petersen 提前石版印刷,并且 D2S 將介紹在從 11:10 的 EDA、 DFM 和 MDP 會議期間題為的 「在 22 nm 邏輯薄酥餅的文字 『波浪』金屬 1 形狀與較少射擊計數」在 4月 15日,一份論文 - 11:30 上午光掩膜日本 2010 將被暫掛在 Pacifico 橫濱的 4月 13-15。

在少量的先進的光掩膜比傳統 e 射線文字技術表示 DFEB 屏蔽技術的第一個發布示例順利地部署的兩份文件射擊了計數和較少寫時間。 這展示 DFEB 屏蔽技術的能力幫助對 22 nm 邏輯節點擴大光學制版以一個實用的方式。

Last Update: 25. January 2012 18:40

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