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SEMATECH聯盟專家概述晶圓鍵合的新發展,銅的去除和晶圓減薄

Published on April 21, 2010 at 7:46 PM

隨著重點是提供成本,有效和可靠的解決方案加快製造的3D技術的選項準備速度,從專家SEMATECH聯盟的3D互連學院納米科學和工程公司(CNSE)奧爾巴尼納米技術複雜的項目概述晶圓鍵合的新發展,銅去除,晶圓在2010年材料研究學會(MRS)年4月5-9春季會議在舊金山,加州變薄。

3D集成提供承諾更高的性能,更高密度,更高的功能,更小的外形尺寸,和潛在的降低成本。在這一新興領域的,新的和改進的技術和一體化計劃將要實現 3D作為一個製造性和可負擔得起的路徑,以維持半導體生產率增長的潛力。在劉健,SEMATECH聯盟的研究人員描述了在各種 3D幾個實際的3D集成成果適用的過程中,如TSV的高寬比例,晶圓鍵合,和互連測試結構變薄。

“我們的目標是通過合作研究,開發和實施三維特徵的新方法,說:”Sitaram Arkalgud,SEMATECH的三維互連計劃主任。 “這些切實可行的辦法是一體化進程的發展,計量,和工具集,這將使 3D TSV的商業上可行的關鍵。”

“SEMATECH聯盟 - CNSE合作夥伴關係,繼續推動先進的技術,將加速3D製造過程,說:”理查德Brilla,CNSE副總裁戰略,聯盟和財團。 “這種創新的研究,將使關鍵的進步,有利於我們的企業合作夥伴和全球納米電子行業。”

在夥伴關係的UAlbany NanoCollege,SEMATECH聯盟的具體過程,旨在提高3D性能的進步包括:

  • 銅化學機械拋光(CMP)清除表土,使用去除率高漿篩選,取得了良好的平坦化的結果,與波蘭缺陷低適合新興的3D TSV的銅應用的速度,一個切實可行的辦法。
  • 發展的過程和相關的計量必要在保稅 300毫米TSV和保稅非TSV晶圓減薄,留下了無缺陷的表面,滿足後續加工的要求。
  • 一個用於描述一個製造的晶圓債券工藝提供一個 void枝蔓,債券和處理晶圓的計量技術數組。

SEMATECH的3D程序是建立在CNSE的奧爾巴尼納米技術複雜,提供高容量的穿透矽通孔(TSV)製造強大的300毫米設備和工藝技術解決方案。為了加快進度,已計劃的工程師合作與芯片製造商,設備和材料供應商,裝配和包裝服務公司,來自世界各地的早期發展的挑戰,包括成本建模,技術選擇縮小,技術的發展和標杆。

Last Update: 3. October 2011 03:31

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