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诺“新的ARL图案电影超过32纳米光刻技术的要求

Published on April 24, 2010 at 3:16 AM

诺发系统公司(纳斯达克股票代码:NVLS)今天宣布,它已经开发出精密的防反射层(ARL),其矢量PECVD平台上的图案电影小于2埃晶圆到晶圆的厚度变异。

ARL的厚度为电影剖面图敷使用MSSP(顶),和侧方的单站样沉积(底部)。新的矢量ARL的超均匀的薄膜沉积过程的结果。

新的工艺技术,利用向量的多站式顺序处理(MSSP ®)架构,以存款超均匀的薄膜厚度,折射率(n)和消光系数(K)的ARL薄膜。这些新电影的属性超过32纳米光刻技术的要求,并显著优于类似电影的存放,使用一个侧面并排的单站样沉积架构。

控制关键尺寸(CD)的变化为32纳米光刻和超越的重要。 2009年国际半导体技术蓝图(ITRS)建议总数小于1nm的CD变异,以确保超高性能电路的功能。先进的光刻技术的CD控制工具,如高端复杂的光学邻近校正相移口罩已成为极其昂贵的实施,以实现32纳米器件的制造所需的严格的CD控制。一个有效的,较昂贵的光刻技术,用于控制变异被称为剂量补偿,照射剂量是在晶圆上的一个特定区域使用的软件算法调整。为了确保正确的性能,剂量补偿策略需要可预见的防反射层的厚度和每个传入晶圆的光学性质。诺工程师们已经开发超均匀的晶圆到晶圆的性能,必须聘用这些剂量补偿控制策略上的向量平台,提供一个新的ARL工​​艺技术。向量的贴装精度小于0.3 mm的角加上新的工艺技术,以确保可预见的电影32纳米光刻技术所需的属性。图1显示了ARL薄膜厚度与MSSP的向量处理的晶圆,和那些敷使用一个侧面并排单站样沉积。向量的ARL电影薄膜厚度的地图显示在低晶圆和晶圆到晶圆的变异,为每个晶圆可预见的个人资料。与此相反的ARL薄膜的单站式建筑,有大晶圆到晶圆的变化,它可以妥协的剂量补偿控制策略。

诺发PECVD业务部门的高级副总裁,说:“凯文詹宁斯,”精密的ARL电影为载体的平台开发的新一代超均匀的厚度和光学性质,先进的技术节点的CD控制所必需的。 “由于双和三层的ARL薄膜的PECVD受雇于反射控制,向量的内在过程控制,使反馈和前馈CD控制解决方案的高效利用。”

来源: http://www.novellus.com/

Last Update: 10. October 2011 13:41

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