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Posted in | Nanoanalysis | Nanobusiness

FEI-Firma Stellt Neue Serie HELIOS NanoLab x50 DualBeam vor

Published on April 26, 2010 at 8:20 PM

FEI-Firma (Nasdaq: FEIC), eine Führung variierte die Firma der wissenschaftlichen Instrumente, die das Elektron und Ionenbündelmikroskope und -hilfsmittel für nanoscale Anwendungen über vielen Industrien bereitstellt, heute heute eingeführt der neuen Serie HELIOS NanoLab™ x50 DualBeam™, der stärksten und vielseitigsten DualBeam-Anlage, die auf dem Markt erhältlich sind. Es integriert extremes hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop FEIS (XHR SEM) mit einem neuen, leistungsstarken fokussierten Ionenträger (FIB), um ein beispielloses Niveau der Darstellung und der Prägefähigkeit für führende Anwendungen in der Halbleiter- und Materialwissenschaftsforschung und entwicklung zu entbinden.

„FEI war das erste, zum gut in den Handel zu bringen des DualBeam einem Jahrzehnt vor, und, in Uebereinstimmung mit langer Erfolgsbilanz in FEIS der Kombination das späteste in SEM- und FLUNKEREI-Technologien in einer Einzelanlage, haben wir das neue HELIOS NanoLab x50 DualBeam vorgestellt. Konstruierte, Darstellungsbedingungen unserer Abnehmer zu erfüllen zukünftige, das HELIOS ist die fähigste und flexibelste Doppelträgeranlage, die auf dem Markt heute erhältlich ist,“ angegebener John Williams, Direktor FEIS des Unternehmens- und strategischen Marketings. „Es kombiniert nicht angepasste SEM-Darstellung, ursprünglich gestartet in das award-winningMagellan™ und FLUNKEREI-Prägeleistung mit verbesserter Auflösung und Stabilität, für hoch entwickelte Anwendungen in der Fehleranalyse, in nanoscale Kennzeichnung, im Nanoprototyping, in der Probenaufbereitung und in anderen hoch entwickelten analytischen Techniken.“

Die neue leistungsstarke Kriegsbeil FLUNKEREI, ursprünglich eingeführt im V400ACETM und mit spätester schneller Schaltungstechnologie FEIS jetzt bevollmächtigt, stellt beispiellose SEM- und FLUNKEREIliveüberwachung von Prägeoperationen, eine kleinere FLUNKEREI-Stelle für genauere Prägeregelung sowie höhere Strahlströme für schnelleren materiellen Ausbau auf großen Zellen, wie durchgehenden Silikon vias (TSVs) zur Verfügung. Gesamtdurchsatz der hoch entwickelten TEM-Lamellenvorbereitung ist durch 40 Prozent verbessert worden.

„Die Serie HELIOS 450 (S) ist Haupt- für heutige hoch entwickelte Halbleiterlabors, die zahlreiche Herausforderungen beschäftigen, einschließlich schrumpfend Abmessungen an den Vor-Knotenpunkten 32nm bestimmt; hoch entwickelte Verpackungsmethoden, wie TSVs und Multiform Stapel; sowie ein Großserien von den Proben, die TEM-Darstellung benötigen,“ gab Williams an.

Das HELIOS 650 ist für Mitten der akademischen und Industrieforschung bestimmt, die hoch entwickelte materielle Kennzeichnung und Modifikation an der einzelnen nmschuppe unten tun müssen. Es entbindet einen breiteren Informationsumfang und hochwertigere Daten 3D, um materielle Eigenschaften, wie Partikel-/Porositätsverteilung, Bruchausbreitung und anderes Verhalten besser zu verstehen. Die Unternm Auflösung des HELIOS 650 an extrem - niedrige Strahlenenergien liefert Oberfläche-spezifische Darstellung, die bis jetzt in einem Doppelträgerinstrument nicht verfügbar war. Für das Nanoprototyping bietet das HELIOS 650 Benutzern die Fähigkeit an, die feineren, komplexeren Zellen über großen Gebieten (mm an Größe) mit besserer Regelung über Abmessungen, weniger Artefakte, schnellere materielle Ausbaukinetik und mehr zu erstellen.

Last Update: 12. January 2012 23:28

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