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Posted in | Nanoanalysis | Nanobusiness

La Compañía de FEI Introduce Nueva Serie del Helios NanoLab x50 DualBeam

Published on April 26, 2010 at 8:20 PM

Compañía de FEI (Nasdaq: FEIC), el llevar diversificó la compañía de los instrumentos científicos que proporcionaba al electrón y los microscopios y las herramientas del haz iónico para las aplicaciones del nanoscale a través de muchas industrias, hoy introducidos la nueva Serie del Helios NanoLab™ x50 DualBeam™, el sistema más potente y más versátil de DualBeam disponibles en el mercado hoy. Integra el microscopio electrónico de alta resolución extremo de la exploración de FEI (XHR SEM) con un nuevo, de alto rendimiento haz de ión enfocado (FIB), para entregar un nivel sin precedente de proyección de imagen y de capacidad fresada para las aplicaciones marginales en la investigación y desarrollo del semiconductor y material de la ciencia.

“FEI era el primer para comercializar el DualBeam bastante por encima hace de una década, y, de acuerdo con el historial largo de FEI de combinar el más último de las tecnologías de SEM y de la BOLA en un único sistema, hemos revelado el nuevo Helios NanoLab x50 DualBeam. Diseñó cumplir los requisitos de la proyección de imagen de la siguiente-generación de nuestros clientes, el Helios es el sistema de haz doble más capaz y más flexible disponible en el mercado hoy,” John Williams declarado, el director de FEI del márketing de la corporación y estratégico. “Combina la proyección de imagen incomparable de SEM, puesta en marcha originalmente en el Magellan™ premiado, y el funcionamiento fresado de la BOLA con la resolución y la estabilidad mejoradas, para las aplicaciones avanzadas en análisis del incidente, la caracterización del nanoscale, nanoprototyping, la preparación de la muestra, y otras técnicas analíticas avanzadas.”

La nueva BOLA de alto rendimiento de la Hacha De Guerra, introducida originalmente en el V400ACETM y ahora autorizada con la última tecnología rápida de la transferencia de FEI, proporciona a la supervisión viva sin precedente de SEM y de la BOLA de operaciones fresadas, a una mancha más pequeña de la BOLA para un mando fresado más exacto, así como a las corrientes de la luz larga para un retiro material más rápido en las estructuras grandes, tales como vias directos del silicio (TSVs). La producción Total de la preparación avanzada de la laminilla de TEM ha sido mejorada por el 40 por ciento.

“La serie del Helios 450 (S) se diseña sobre todo para los laboratorios avanzados de hoy del semiconductor que se están ocupando de retos numerosos, incluyendo dimensiones que encoge en los nodos sub 32nm; técnicas de empaquetado avanzadas, tales como TSVs y pilas del multi-dado; así como un más en grandes cantidades de las muestras que requieren proyección de imagen de TEM,” declaró a Williams.

El Helios 650 se diseña para los centros de investigación académica e industrial que necesitan hacer la caracterización material avanzada y la modificación hacia abajo a la única escala del nanómetro. Entrega una gama más amplia de la información y de datos más de alta calidad 3D para entender mejor características materiales, tales como distribución de la partícula/de la porosidad, propagación de rajadura y otros comportamientos. La resolución del sub-nanómetro del Helios 650 en extremadamente - las energías inferiores del haz proporcionan a la proyección de imagen superficie-específica que, hasta ahora, era inasequible en un instrumento del haz doble. Para nanoprototyping, el Helios 650 ofrece a utilizadores la capacidad de crear estructuras más finas, más complejas sobre las áreas extensas (milímetros de tamaño) con un mejor mando sobre dimensiones, menos artefactos, tipos materiales más rápidos del retiro, y más.

Last Update: 12. January 2012 22:20

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