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FEI 公司引入新的 Helios NanoLab x50 DualBeam 串聯

Published on April 26, 2010 at 8:20 PM

FEI 公司 (那斯達克:FEIC),導致多樣化了提供電子和離子束顯微鏡和工具為 nanoscale 應用的科學儀表公司在許多行業間,今天今天介紹新的 Helios NanoLab™ x50 DualBeam™串聯,可用最強大和最多才多藝的 DualBeam 的系統在這個市場。 它集成 FEI 的極其高分辨率掃描電子顯微鏡 (XHR SEM) 有新,高性能集中的離子束的 (FIB),提供想像和碾碎的功能的一個史無前例的級別前進應用的在半導體和材料學研究與開發。

「FEI 是把 DualBeam 商業化的第一个遠遠超出一個十年前,并且,跟上 FEI 的長的記錄結合最新信息在一個唯一系統的 SEM 和小謊技術,我們揭幕新的 Helios NanoLab x50 DualBeam。 設計符合我們的客戶的下一代想像要求, Helios 今天是最能够和最靈活的雙電子束系統可用在市場上」,指明的約翰・威廉斯,總公司和有戰略意義的市場營銷的 FEI 的主任。 「它與被改進的解決方法和穩定性結合不匹配 SEM 想像,原來地生成在得獎的 Magellan™和小謊碾碎的性能,先進的應用的在故障分析, nanoscale 描述特性, nanoprototyping,範例準備和其他先進的分析技術」。

新的高性能印第安戰斧小謊,原來地引入在 V400ACETM 和現在授權與 FEI 的最新的快速切換技術,為更加準確的碾碎的控制提供碾碎的運算史無前例的 SEM 和小謊活監控,一個更小的小謊地點,以及更加快速的物質刪除的更高的光束當前在大結構,例如通過硅 vias (TSVs)。 40% 改進了整體處理量先進的 TEM 鱗片準備。

「Helios 450 (S) 串聯主要為處理許多挑戰的今天先進的半導體實驗室設計,包括在子 32nm 節點的收縮的維數; 先進的包裝的技術,例如 TSVs 和多彀子棧; 並且要求 TEM 想像的大容積範例」,指明威廉斯。

Helios 650 為需要執行高級材料描述特性和修改下來對唯一毫微米縮放比例的學術和產業研究中心設計。 它提供各種各樣的信息和更加優質的 3D 數據為了更好瞭解材料特性,例如微粒/多孔性配電器、裂紋擴展和其他工作情況。 Helios 650 的子毫微米解決方法在極低的射線能源的提供,直到現在,是未提供的在一臺雙電子束儀器的表面特定想像。 对 nanoprototyping, Helios 650 提供用戶這個能力用對維數的更好的控制創建在大區 (毫米的更加細致,更加複雜的結構在大小上),少量人工製品,更加快速的物質刪除費率和更多。

Last Update: 25. January 2012 19:22

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