AIXTRON Recebe o Pedido Novo para umas Ferramentas dos Mais Planetárias e Showerhead do HB-GaN do DIODO EMISSOR DE LUZ do MOCVD

Published on April 27, 2010 at 3:25 AM

AIXTRON AG (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6, ISIN DE000A1DAHX7; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) anunciados hoje um pedido novo para umas ferramentas dos Mais Planetárias e Showerhead do HB-GaN do DIODO EMISSOR DE LUZ do MOCVD de Jiang SU Podem Yang, um empreendimento misto com Formosa Epitaxia Inc. (FOREPI), um cliente de AIXTRON e estabelecidos dos fabricantes principais de Taiwan do Diodo emissor de luz do brilho ultra (UHB) alto. Jiang que a SU Pode Yang colocou o pedido no quarto trimestre de 2009. Os sistemas Planetários do Reactor em um 11x4 avançam a configuração e Fecham ferramentas Acopladas do Showerhead em uma configuração da polegada 31x2 serão entregados entre os segundos e o quarto trimestre de 2010. A equipe de apoio local de AIXTRON comissão os reactores novos na facilidade finalidade-construída FOREPI nova na província de Jiang SU, FOTORRECEPTOR China.

O Dr. Frank Chien, CEO FOREPI comenta, “Nós tem os planos agressivos para nosso empreendimento misto na província de Jiang SU, FOTORRECEPTOR China com um total de cinqüênta sistemas a ser no lugar dentro dos próximos três anos. O desempenho que excelente nós recebemos da nossa existência Planetária e os sistemas do Showerhead de AIXTRON em FOREPI em Taiwan traduziram directamente no desempenho de produto, no rendimento, e no custo de alta qualidade da posse.

Especificamente, os reactores novos neste o pedido o mais atrasado são destinados não somente para uma facilidade nova mas igualmente um assunto de pesquisa da nova aplicação. Conseqüentemente, como estes planos se desdobram o empreendimento misto novo em China permitirá que nós sejam muito próximos a muitos de nossos clientes que aumentam a capacidade de produção e encontrar seu futuro precisa na tecnologia nova do dispositivo. Trabalhar em parceria com a equipe de apoio de AIXTRON nós podemos trazer estas ferramentas que ramping onstream rapidamente acima a produção do epiwafer do DIODO EMISSOR DE LUZ de GaN do HB em resposta à procura local forte do mercado.”

Last Update: 12. January 2012 22:16

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