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綜合辦法 CMOS邏輯和存儲器設備技術和3D TSV的製造

Published on April 28, 2010 at 8:03 PM

要繼續業界性能擴展的歷史趨勢,SEMATECH聯盟專家報告的CMOS邏輯和內存設備技術和3D TSV(通過矽通過)製造超大規模集成電路技術,系統和應用(VLSI - TSA)國際研討會於四月綜合辦法26-28日,2010年。

SEMATECH聯盟的研究人員的國際團隊在一系列八個研究論文,涉及的各種挑戰,為擴大先進的存儲器和邏輯技術和工藝解決方案。概述的論文,從數以百計的意見書選擇,如high-k/metal門的材料,快閃記憶體,平面和非平面CMOS技術領域的前沿研究。

拉吉說:“”的流程,材料和器件結構,將定義下一代的CMOS與非CMOS技術,以及它們如何運作作為一個模塊相結合,提高子孫後代的設備的功能和性能是至關重要的,容易的,材料和新興技術的副總裁。 “VL​​SI - TSA提出的研究結果表明SEMATECH的領導下,在新材料,工藝和概念,使CMOS縮放,並為新興技術的方式和創新思維。”

一個潛在的行業不斷變化的技術,Sitaram Arkalgud,SEMATECH的三維互連計劃主任,描述了通過中TSV技術在300毫米平台。 Arkalgud討論發展過程中,模塊集成,通過中期TSV的,允許在減少互連長度以及堆疊芯片之間增加了對帶寬的前端過程的整體製造前景,導致較低的功耗,更高的性能,並增加設備的密度。

此外,SEMATECH前端工藝技術人員在以下幾個方面的技術進步:

  • 開發替代高k電介質,以解決門一門最後的28納米節點及以後技術的挑戰。 SEMATECH聯盟的報導,在一個矽鍺(SiGe)P溝道 MOSFET(pFET管)更高的性能,當集成到雙通道單金屬柵 CMOS。在最後一個門的方式,SEMATECH聯盟結果顯示低溫過程,可實現 N通道和P通道,適用於 20納米的CMOS電壓目標。
  • 確定同步輻射 X射線光電子能譜(XPS)和擴展 X射線吸收精細結構(EXAFS)技術應用到先進的基於鉿的介質膜系統的能量和極高的空間分辨率已經透露了微妙而重要的的化學狀態和晶相轉換引起的負責機制,提高了設備的性能。
  • 在線測量解決方案作為一個先進的高- k薄膜堆疊子納米 Al2O3和La2O3的覆蓋層特徵識別真空紫外(VUV)的反射率。
  • 探索持續晶體管縮放候選人 FinFET元件的承諾,即使測量這些設備提出了挑戰,特別是對了解介質界面,因為這些設備上的SI身正,不用於探測。通過改變晶體管的門控二極管,SEMATECH聯盟確定這個問題是可以避免的,強大的,有意義的測量,可以得到。
  • TANOS結構進行深入研究如何編程,擦除和保留模式的退化主要是由不同的機制,突出差異。
  • 通過的III - V族MOSFET的結構和屬性的熱預算的依賴,演示用激光退火一個縮放 III - V族的MOSFET的關鍵構建塊的外部電阻降低,系統的評價。
  • 形容緊張的SiGe量子阱(QW)PMOSFET的實驗觀察,表明它是一個有希望的候選人在22納米節點及以後的CMOS技術的。
  • 突出雙軸應變工程的必要性,提高FinFET器件的性能,通過減少寄生電阻為過去的22納米節點的行業級。

在超大規模集成電路技術國際研討會,系統和應用(VLSI - TSA)是贊助由電氣和電子工程師學會,IEEE,一個領先的技術與台灣工業技術研究學院(工研院)地位的專業協會。 VLSI - TSA是SEMATECH聯盟合作,與來自公司,大學和其他研究機構的科學家和工程師,其中許多人是研究夥伴使用的許多行業論壇之一。

Last Update: 9. October 2011 18:29

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