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AIXTRON的訂購關閉耦合花灑 MOCVD系統接收來自廷德爾國家研究院

Published on May 10, 2010 at 3:11 AM

AIXTRON AG公司今天宣布,為了之一關閉耦合花灑MOCVD系統廷德爾國立科克大學(UCC),愛爾蘭的,。接到命令在2009年第四季度,該系統將在一個 3x2英寸晶圓的配置,在2010年上半年交付。

教授彼得Parbrook,已被任命導致 GaN生長活動廷德爾國家研究院的戰略資金使用由愛爾蘭科學基金會,評論:從我們現有的AIXTRON的反應堆“我們很熟悉他們的工具性能的質量和工程。有我們為 CCS反應堆為什麼選擇我們的氮化鎵方案的原因是多方面的:比如靈活的反應器配置,其中包括間隙的調整。另外,我們可以用不同的基板尺寸範圍,以滿足我們的各種研究項目。固有的,該工具還具有高增長均勻,我們正在尋找前進的ARGUS測溫系統向我們的原位監測和過程控制的精度。“該增長的工具將補充氮化鎵光子材料和製造的理論廷德爾的現有專業知識GaN基器件。

AIXTRON的本地支持團隊安裝新的系統將使用先進的氮化鎵技術支持工作。這包括生長的GaN /(鋁,鎵,)N -基材料,光電子和微電子器件與高溫生長的AlGaN結構為重點。

廷德爾國家研究院,UCC是歐洲領先的研究中心之一,在專業的信息通信技術硬件研究,技術和教育下一代的研究人員商品化。該研究所擁有 370多名研究人員,工程師,學生和支持人員專注於質量的研究和商業化的技術,通過行業協作的臨界質量。廷德爾解決的技術挑戰,在通信,能源,健康和環境的關鍵領域提供解決方案,涵蓋了從原子在光子學,微系統和微納米電子學系統的研究。這項研究是在理論,建模和設計和晶圓製造工廠,III - V族與 CMOS和MEMS的能力較強的專業知識支持。

長期緊密的耦合花灑 ®是註冊商標。

Last Update: 4. October 2011 08:04

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