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全球專家討論 SEMATECH的岩性論壇光刻技術的發展

Published on May 25, 2010 at 1:35 AM

SEMATECH的光刻論壇,5月10-12日,半導體業務的領導和技術專家在獲得寶貴的見解,對行業的看法和光刻技術的發展意圖。

論壇為期三天的聚會,全球光刻技術專家,有特色的一個線的高級管理人員和技術專家,在半導體產業,誰共享的觀點,關於為什麼合作是勢在必行的半導體技術的創新和挑戰的下一代技術的發展令人印象深刻的必須解決使光刻技術成功。

“該行業的基本推動者,是提高每個功能的成本,Armbrust,SEMATECH聯盟總裁兼首席執行官說:”丹。 “對於行業的發展,商業模式需要考慮合作,以控制成本和擴大現有的技術,而基礎設施建設為未來的解決方案。”

“光刻技術是半導體產業的骨幹力量,它將會為未來的應用機會和業務增長的推動力,說:”布賴恩水稻,光刻主任在SEMATECH聯盟。 “由此產生的信息,並從今年論壇的指導將幫助 SEMATECH聯盟成員擴大現有的技術,建立新興的基礎設施,並克服下一代光刻技術和成本的挑戰非常寶貴的。”

論壇的主要亮點包括以下內容:

  • IBM的主旨發言人加里巴頓集中的行業協作和創新的需要,繼續推進路線圖,並指出SEMATECH的EUV技術基礎設施的合作,協作創新,使EUV發生的一個很好的例子。
  • 來自 IBM,台積電,東京電子有限公司,和GLOBALFOUNDRIES主持人審查支持光刻技術選擇,包括插入,EUV掩模檢查挑戰,雙重圖形進程的發展,多電子束為 22納米的決定和亞 22納米光刻技術和活動的當前狀態和整體工具的準備情況。
  • 強調,整體開發成本和減少風險,必須確保發展安全的設備和材料供應商的進步的速​​度與 EUV掩模和抵制的基礎設施兼容。

此外,130多個與會者進行了調查,對他們的計劃和對未來的製造光刻方法的喜好。主要調查結果包括以下內容:

  • 正如在以前的論壇確定的193納米沉浸式雙圖案繼續批量製造適用於平版印刷技術將在2012年。
  • 雖然一些製造商將使用的技術遲早,EUV技術將能夠被放置在2014年進入製造業,在2016年進入製造業的可擴展性。
  • 浸泡雙重圖形,下一代設備的所有權,覆蓋能力和可擴展性,成本仍是大挑戰。
  • 對於 EUV技術,光罩缺陷,光源功率,曝光工具吞吐量,並擁有成本被評為大挑戰。
  • 193納米和EUV被選為將考慮在32納米節點或超出製造技術。

隨著行業週期約為 2年每光刻節點,SEMATECH的兩年一次的岩性論壇光刻用戶和供應商提供了一個機會,評估各種技術方案的進展情況。以前的論壇,幫助協調行業的32納米半間距代及以後的共識。

來源: http://www.sematech.org/

Last Update: 9. October 2011 21:45

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