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Posted in | Nanoelectronics

SEMATECH 报告在薄酥饼对薄酥饼接合对准线的级数

Published on June 11, 2010 at 1:54 AM

从 SEMATECH 的 3D 互连的研究员编程基于在 Nanoscale 科学学院,并且工程的 (CNSE) 阿尔巴尼 NanoTech 复杂通过一系列的硬化改善的工具和进程报告了在薄酥饼对薄酥饼接合对准线准确性的预付款。

同时, SEMATECH 小组测试唯一 3D 计量学和故障分析技术补充接合工具发展。 这些结果是往缩小大容积制造准备差距一个集成接合工具平台的和开发将加速 3D 综合化技术的采用的计量学技术的关键步骤。 6月 9日,在星期三 SEMATECH 存在了结果在 2010年 (IITC) IEEE 国际互连技术会议,在 Burlingame, CA。

薄酥饼对薄酥饼 (WtW)对准线和接合是关键字启用 3D 薄酥饼的互联的处理步骤通过堆积。 半导体 (ITRS) 模式的高密度的,中级水平,在 2012年与 WtW 接合的通过硅vias 国际技术模式通过直径 0.8 到 1.5ìm 指定和以远。 过帐政券重叠准确性的 0.5 到 1.0ìm 为这些设备是必要的。

SEMATECH 的 3D 互连研究员展示了铜对铜 (古芝古芝) 热压缩债券的亚显微对准线准确性使用一张集成 300mm WtW 预处理,并且各种各样的硅对硅和氧化物对氧化物融合结合,无需牺牲接合均一和接合强度,对齐和结合工具。 另外,提高程序控制,在接合界面 defectivity 的相关计量学发展和躺在的计量学报告了。 如 ITRS 所述, SEMATECH 的最新的成绩是满足 WtW 接合模式的可行性的有为的表示。

“通过合作研究,我们的目标是开发,并且分析新的途径到实施 3D”, Sitaram Arkalgud, SEMATECH 的 3D 互连程序的负责人说。 “这些前进结果,有对加工成本的直接影响,展示铺平道路低价的 3D 集成电路综合化的 SEMATECH 的领导和创新技术”。

越来越高的要求为了更小,更加功能和更加低功率的筹码, 3D 结构涌现作为符合的前进消费者设备要求一个主导的解决方法。 SEMATECH 的 3D 程序被设立在 CNSE 的阿尔巴尼 NanoTech 复杂通过制造提供稳健 300 mm 设备和大容积通过硅的加工技术 (TSV)解决方法。 要加速在发挥 3D's 潜在的进展作为内存的 manufacturable 和价格合理的技术和 CMOS 制造商,程序的工程师世界各地工作与芯片制造商一起、设备和材料供应商和集合和包装的服务公司在早发展挑战,包括塑造的费用,缩小技术的选项和技术开发和基准点。

来源: http://www.sematech.org/ 

Last Update: 12. January 2012 00:07

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