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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Kennzeichnet Kleinleistungs-HKMG Logik-Verfahrenstechnik 32nm

Published on June 11, 2010 at 2:19 AM

Samsung Electronics, Co., Ltd., ein globaler Führer in den hoch entwickelten Halbleiterlösungen, heute angekündigt, dass sein Gießereigeschäft, Samsungs-Gießerei, Kleinleistungsprozeß 32nm mit (LP) hoch--K Metalltortechnologie gekennzeichnet (HKMG) hat.

Der Prozess hat erfolgreich Zuverlässigkeitsprüfung an der 300-mm-Logikfälschungszeile Samsungs-Gießerei, die S-Zeile, in Giheung, Korea beendet und, ist jetzt zur Produktion von Abnehmerauslegungen betriebsbereit. Wie das erste, zum der Verfahrenstechnik Logiks 32nm LP HKMG, Samsungs-Gießerei zu kennzeichnen balanciert wird, um Volumenherstellung von den Chips anzufangen, die konstruiert werden, um die steigernden Media, Energiesparende Anforderungen zu treffen der zukünftigen beweglichen Unterhaltungselektronik.

Seine tiefe Submikronsachkenntnis in der Technologie der geringen Energie Wirksam Einsetzend, hat Samsungs-Gießerei, zusammen mit der Gemeinsamen Entwicklung Alliance (JDA) IBMS, seinen Prozessknotenpunkt 32nm LP HKMG Tor-erstes justiert, um eine wettbewerbsfähige, innovative Prozessplattform mit Doppeltem zu entbinden, welches die Logikdichte von 45nm durch herabgesetzte einschränkende Auslegungsregeln aufbereitet.

„Dieses Ergebnis ist ein anderer beträchtlicher Meilenstein in unserer Strategie, zum Verfahrenstechnik der Führungsgießerei zu versehen der, die völlig mit hochmodernen Auslegungslösungen für Auslegung der geringen Energie SOC integriert wird,“ sagte, dass Stephen, Exekutivvizepräsident und Generaldirektor, Anlage HOCHINTEGRATION, Samsung Electronics Anflehen. „Zusammenarbeitend mit einigen Schlüsselpartnern, sind wir in der Lage gewesen, HKMG von Entwicklung zu Implementierung in einer Produktionsumgebung zu nehmen. Unsere Abnehmer können ihre Auslegungsinnovationen mit der höchstentwickelten Verfahrenstechnik 32nm LP HKMG, den Auslegungshilfsmitteln, dem IP und der Herstellung jetzt nahtlos integrieren, um Zeit zum Markt zu beschleunigen für ihre beweglichen Silikonlösungen der Vorderkante.“

„Glückwünsche zu Samsung auf Sein- die erste Gießerei, zum von SOC unter Verwendung der hoch--K/Metalltortechnologie zu demonstrieren. Dieser wichtige Meilenstein stellt den Höhepunkt der Zusammenarbeit durch das IBM-Technologieentwicklungsbündnis dar, um den wettbewerbsfähigen, „Tor zuerst“ hoch--K Technologie der geringen Energie - Ideal für die auftauchenden zukünftigen beweglichen Anwendungen,“ sagte Gary Patton, Vizepräsidenten für IBMs Halbleiter-Forschung und Entwicklung Mitte zu entbinden.

Als Teil des Qualifizierungsprozesses konstruierte Samsungs-Gießerei und stellte ein Anlage-aufchip 32nm LP her, (SoC) das 30 Prozent dynamische Leistungsreduzierung und 55 Prozent Leckageleistungsreduzierung zeigt, wenn es mit der Soc-Auslegung verglichen wird, die an 45nm LP bei der gleichen Frequenz eingeführt wird. Samsungs-Gießerei war in der Lage, diese beträchtlichen Leistungsreduzierungszahlen wegen seiner Tor-ersten HKMG-Implementierung zu erreichen.

Wenn sie den Prozess 32nm LP entwickelte, arbeitete Samsungs-Gießerei in der nahen Technikpartnerschaft mit seinen Ökosystempartnern. Das Partner IP integrierte erfolgreich und das Silikon, das in dieser Soc nachgewiesen wird, umfaßt:

  • Kern der WAFFE 1176
  • ARMIEREN Sie körperliches IP, das von den Standard-Zellen, von den Speichercompilern und von I/Os enthält
  • Synopsys' USB 2,0 OTG

Samsungs-Gießerei arbeitete mit EDA-Partnern einschließlich Synopsys, Rhythmus-Konstruktionssysteme und der Mentor, zum von grossen Fortschritten in die Auslegung zu enthalten fließen für 32nm LP wie:

  • Hoch entwickelte Techniken der geringen Energie einschließlich die Leistung, die mit einem Gatter versehen, Multischwellwert Spannungen, Mehrkanallängen und anpassungsfähige das Gehäuse, die Techniken beeinflußt, wurden verwendet, um Leckageleistung zu verringern
  • Statistische Statische Zeitanalyse (SSTA) wurde verwendet, um Variante effektiv zu adressieren und Zeit Spielräume, festzusetzen zu verringern
  • Verschiedene Techniken der Zell- und Chip-Stufe DFM wurden verwendet, um manufacturability zu verbessern

Samsungs Gießereiabnehmer profitieren von dieser Produkt nachgewiesenen Auslegungsinfrastruktur und der kontinuierlichen Rückkopplungsschleife, die zu seinem Gießereigeschäft eindeutig ist.

Mit seiner umfangreichen Herstellungssachkenntnis und anhaltenden Entwicklung an der Verfahrenstechnik der führenden Logiks, wird Samsungs-Gießerei auf das Ansprechen der des Gießereilösungsanforderungen der neuen Technologie Marktes gerichtet. Verfahrenstechnik des 32nm LP HKMG Samsungs-Gießerei ist entwickelt worden, um Abnehmern schrumpfbare Auslegungsregeln und einen glatten Migrationspfad 28nm LP anzubieten.

Quelle: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 00:14

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