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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Califica Tecnología De Proceso HKMG de la Lógica De baja potencia de 32nm

Published on June 11, 2010 at 2:19 AM

Samsung Electronics, Co., Ltd., arranque de cinta global en las soluciones avanzadas del semiconductor, anunciadas hoy que su asunto de la fundición, Fundición de Samsung, ha calificado el proceso de baja potencia (LP) 32nm con alta-k tecnología de la entrada (HKMG) del metal.

El proceso ha terminado con éxito la prueba de la confiabilidad en la línea de la fabricación de la lógica de los 300 milímetros de la Fundición de Samsung, la Línea de S, en Giheung, Corea y, está listo ahora para la producción de diseños del cliente. Como el primer para calificar la tecnología de proceso de la lógica de 32nm LP HKMG, Fundición de Samsung se contrapesa para comenzar la fabricación del volumen de las virutas diseñadas para resolver los media intensivos, requisitos económicos de energía de los productos electrónicos de consumo del móvil de la siguiente-generación.

Leveraging su experiencia profunda del submicron en tecnología de la energía baja, la Fundición de Samsung, así como el Desarrollo Conjunto Alliance de IBM (JDA), ha sintonizado su nodo de proceso de 32nm LP HKMG entrada-primer para entregar una plataforma de proceso competitiva, punta con el doble que la densidad de la lógica de 45nm tramita con reglas restrictivas disminuidas del diseño.

“Este resultado es otra piedra miliaria importante en nuestra estrategia para proveer de la tecnología de proceso de la fundición del liderazgo integrada completo las soluciones avanzadas del diseño para el diseño del SOC de la energía baja,” dijo que Stephen Corteja, el vicepresidente ejecutivo y director general, Sistema LSI, Samsung Electronics. “Colaborando con varios socios dominantes, hemos podido llevar HKMG del revelado la puesta en vigor en un ambiente de producción. Nuestros clientes pueden ahora inconsútil integrar sus innovaciones del diseño con la tecnología de proceso de 32nm LP HKMG, las herramientas de diseño, el IP y la fabricación más avanzados para acelerar hora al mercado para sus soluciones movibles delanteras del silicio del borde.”

“Enhorabuena a Samsung en ser la primera fundición para demostrar los SOC usando tecnología alta-k/del metal de la entrada. Esta piedra miliaria importante representa la culminación de la colaboración por la alianza del revelado de tecnología de IBM para entregar, entrada primero” alta-k tecnología de la energía baja “- ideal para las aplicaciones movibles emergentes de la siguiente-generación,” dijo Gary Patton, al vicepresidente competitivo para el Centro de la Investigación y desarrollo del Semiconductor de IBM.

Como parte del proceso de la aptitud, la Fundición de Samsung diseñó y fabricó una sistema-en-viruta de 32nm LP (SoC) que muestra el 30 por ciento de reducción dinámica de la potencia y el 55 por ciento del fuga de reducción de la potencia cuando está comparada al diseño del SoC ejecutado en 45nm LP en la misma frecuencia. La Fundición de Samsung podía alcanzar estos números importantes de la reducción de la potencia debido a su entrada-primera puesta en vigor de HKMG.

En desarrollar el proceso de 32nm LP, la Fundición de Samsung trabajó en sociedad cercana de la ingeniería con sus socios del ecosistema. El IP del socio integró con éxito y el silicio probado en este SoC incluye:

  • Base de la ARMA 1176
  • ARME EL IP físico que comprende de células estándar, de compiladores de la memoria y de I/Os
  • Synopsys' USB 2,0 OTG

La Fundición de Samsung trabajó con los socios incluyendo Synopsys, Sistemas de EDA de Diseño de la Cadencia y el Mentor para incorporar avances importantes en el diseño fluye para 32nm LP por ejemplo:

  • Las técnicas Avanzadas de la energía baja incluyendo la potencia que bloqueaba, los voltajes del multi-umbral, las longitudes de varios canales y el cuerpo adaptante orientando técnicas fueron utilizadas para reducir potencia del fuga
  • El Análisis de Cronometraje Estático Estadístico (SSTA) fue utilizado para dirigir eficazmente la variación y para reducir el cronometrar de márgenes
  • Las Diversas técnicas del nivel DFM de la célula y de la viruta fueron utilizadas para mejorar manufacturability

Los clientes de la fundición de Samsung se benefician de esta infraestructura probada producto del diseño y del bucle de retroalimentación contínuo que es único a su asunto de la fundición.

Con su experiencia extensa de la fabricación y revelado continuado en la tecnología de proceso de la lógica marginal, la Fundición de Samsung se centra en la dirección de los requisitos de la solución de la tecnología avanzada del mercado de la fundición. La tecnología de proceso del 32nm LP HKMG de la Fundición de Samsung se ha desarrollado para ofrecer a clientes reglas encogibles del diseño y un camino liso de la migración a 28nm LP.

Fuente: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 00:30

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