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सैमसंग 32nm कम पावर HKMG तर्क प्रक्रिया प्रौद्योगिकी उत्तीर्ण

Published on June 11, 2010 at 2:19 AM

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड, उन्नत अर्धचालक समाधान में एक विश्व नेता, आज की घोषणा की है कि इसकी ढलाई व्यवसाय, सैमसंग फाउंड्री, 32nm (LP) उच्च-k धातु गेट (HKMG) तकनीक के साथ कम बिजली प्रक्रिया योग्य है.

प्रक्रिया सफलतापूर्वक सैमसंग फाउंड्री 300 मिलीमीटर तर्क निर्माण लाइन, Giheung, कोरिया में एस लाइन, पर विश्वसनीयता का परीक्षण और पूरा, अब ग्राहक के डिजाइन के उत्पादन के लिए तैयार है. पहले 32nm एल.पी. HKMG तर्क प्रक्रिया प्रौद्योगिकी योग्य के रूप में, सैमसंग फाउंड्री मीडिया गहन, अगली पीढ़ी के मोबाइल उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स की ऊर्जा कुशल आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन चिप्स की मात्रा विनिर्माण शुरू की ओर अग्रसर है.

कम शक्ति प्रौद्योगिकी, सैमसंग फाउंड्री में अपनी गहरी उप माइक्रोन विशेषज्ञता का इस्तेमाल, आईबीएम संयुक्त विकास एलायंस (प्राधिकरण) के साथ साथ, अपनी 32nm एल.पी. HKMG गेट पहले प्रक्रिया नोड डबल के साथ एक प्रतिस्पर्धी प्रक्रिया अत्याधुनिक मंच देने देखते 45nm प्रक्रियाओं की कम से कम प्रतिबंधक डिजाइन नियमों के माध्यम से तर्क घनत्व.

"यह परिणाम हमारे लिए नेतृत्व फाउंड्री प्रक्रिया पूरी तरह से एकीकृत प्रौद्योगिकी प्रदान की रणनीति में एक महत्वपूर्ण मील का पत्थर है राज्य के-the-कला, कम बिजली समाज डिजाइन के लिए डिजाइन समाधान" स्टीफन वू ने कहा, कार्यकारी उपाध्यक्ष और महाप्रबंधक, सिस्टम LSI, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स. "कई प्रमुख भागीदारों के साथ सहयोग, हम एक उत्पादन वातावरण में विकास से कार्यान्वयन HKMG लेने के लिए सक्षम किया गया है. हमारे ग्राहकों को अब seamlessly सबसे उन्नत 32nm एल.पी. प्रक्रिया प्रौद्योगिकी, डिजाइन उपकरण, आईपी HKMG और उनके अग्रणी धार मोबाइल सिलिकॉन समाधान के लिए बाजार के लिए समय में तेजी लाने के निर्माण के साथ उनके डिजाइन नवाचारों को एकीकृत कर सकते हैं. "

पहले समाज का उपयोग high-k/metal गेट प्रौद्योगिकी का प्रदर्शन फाउंड्री जा रहा है पर सैमसंग के लिए बधाई ". , गैरी पैटन, उपाध्यक्ष आईबीएम सेमीकंडक्टर के लिए कहा उभरते अगली पीढ़ी के मोबाइल अनुप्रयोगों के लिए आदर्श "- यह महत्वपूर्ण मील का पत्थर आईबीएम प्रौद्योगिकी विकास गठबंधन द्वारा सहयोग करने के लिए प्रतिस्पर्धी, कम शक्ति" गेट पहले "उच्च-k प्रौद्योगिकी देने की परिणति का प्रतिनिधित्व करता है अनुसंधान और विकास केंद्र.

योग्यता प्रक्रिया के हिस्से के रूप में, सैमसंग फाउंड्री डिजाइन और निर्मित एक 32nm एल.पी. प्रणाली पर चिप (SoC) है कि 30 प्रतिशत गतिशील बिजली की कमी और 55 प्रतिशत रिसाव बिजली की कमी से पता चलता है जब समाज एक ही आवृत्ति पर 45nm एल.पी. पर लागू डिजाइन की तुलना में . सैमसंग फाउंड्री के लिए इन महत्वपूर्ण अपने फाटक पहले HKMG कार्यान्वयन के कारण बिजली की कमी संख्या तक पहुँचने में सक्षम था.

32nm एल.पी. प्रक्रिया में विकासशील, सैमसंग फाउंड्री अपनी पारिस्थितिकी तंत्र भागीदारों के साथ घनिष्ठ इंजीनियरिंग साझेदारी में काम किया. साथी आईपी सफलतापूर्वक एकीकृत है और इस समाज में सिद्ध सिलिकॉन शामिल हैं:

  • एआरएम 1176 कोर
  • एआरएम भौतिक मानक कोशिकाओं, स्मृति compilers और मैं / ओएस के शामिल आईपी
  • 'Synopsys यूएसबी 2.0 OTG

सैमसंग फाउंड्री Synopsys, ताल डिजाइन सिस्टम और Mentor जैसे 32nm एल.पी. के लिए डिजाइन प्रवाह में प्रमुख अग्रिमों को शामिल सहित EDA भागीदारों के साथ काम किया है:

  • उन्नत सत्ता gating, बहु दहलीज voltages, मल्टी चैनल लंबाई और अनुकूली शरीर biasing तकनीक सहित कम बिजली तकनीक रिसाव शक्ति को कम करने के लिए इस्तेमाल किया गया
  • सांख्यिकीय स्टेटिक समय विश्लेषण (SSTA) को प्रभावी ढंग से भिन्नता पता और समय हाशिये को कम करने के लिए इस्तेमाल किया गया था
  • विभिन्न सेल और चिप स्तर DFM तकनीक manufacturability में सुधार किया गया

सैमसंग फाउंड्री ग्राहकों को इस उत्पाद सिद्ध डिजाइन बुनियादी ढांचे और निरंतर प्रतिक्रिया पाश है कि उसके फाउंड्री व्यवसाय के लिए अद्वितीय है से लाभ.

इसकी व्यापक विनिर्माण और अग्रणी बढ़त तर्क प्रक्रिया प्रौद्योगिकी पर निरंतर विकास विशेषज्ञता के साथ, सैमसंग फाउंड्री फाउंड्री बाजार उन्नत प्रौद्योगिकी समाधान की आवश्यकताओं को संबोधित पर ध्यान केंद्रित है. सैमसंग फाउंड्री 32nm एल.पी. HKMG प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के लिए ग्राहकों को shrinkable डिजाइन नियम और 28nm एल.पी. के लिए एक चिकनी प्रवास पथ की पेशकश करने के लिए विकसित किया गया है.

स्रोत: http://www.samsung.com/

Last Update: 9. October 2011 13:04

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