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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Entwickelt den Block des Speicher-32GB, der Chips 40nm 4Gb DDR3 Kennzeichnet

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., der Weltmarktführer im hoch entwickelten Zweikanalmagnetbandelement, heute angekündigt, dass es das erste 32 Gigabyte der Industrie Belastung-verringerte entwickelt (GB) hat, Doppelreihenspeicherblock (LRDIMM), für Serveranwendungen.

Samsung fängt an, das 32GB LRDIMM in der zweiten Hälfte dieses Jahres in Serienfertigung herzustellen und gibt ihm die größte Familie von D-RAM-Zubringern in der Industrie.

Unter Verwendung innovativer 40 nm-klasse konstruierten vier Chips DDR3, die des Gigabits (4Gb) Samsung, das Anfang des Jahres, das neue 32GB LRDIMM eingeführt wird, Servers der nächsten Generation anpaßt, für Virtualisierung, bewölken die Datenverarbeitung und andere Hochleistungsanwendungen.

„Wenn der Belastung-verringerte Block der Industrie zuerst mit 40nm-class DDR3 Technologie entwickelt wird, unterstreichen wir unsere Bestimmung, um das Beste der Kapazität zu kombinieren und Leistung für die neueste Generation von Servers,“ sagte Dong-Soo Jun, Exekutivvizepräsident, Speichermarketing, Samsung Electronics.

Samsungs Prototyp 32GB LRDIMM besteht 72 Chips 4Gb DDR3 und aus einem zusätzlichen Speicherbufferchip, um zu helfen, die Belastung auf dem Speicherteilsystem 75 Prozent soviel wie zu verringern.

Indem sie 32GB LRDIMMs verwendet, kann Speicherkapazität steigen bis 384 Gigabytes pro CPU. In einer bidirektionalen Serveranlage kann die Kapazität bis bis 768GB oder zu ungefähr 1,5mal erhöht werden, die von einer Anlage des Servers 512GB mit 32GB DDR3 RDIMMs sich ausrüsteten.

Ein Server, der mit LRDIMMs ausgerüstet wird, kann Daten bei 1.333 Megabit pro Sekunde (Mbps), ungefähr 70 Prozent aufbereiten schneller als die vorhergehende Drehzahl von 800 Mbps. Samsungs LRDIMMs funktionieren bei 1,35 oder 1,5 Volt.

Quelle: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 12. January 2012 01:40

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