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Samsung Desarrolla el Módulo de la Memoria 32GB Que Ofrece Virutas de 40nm 4Gb DDR3

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en la tecnología de memoria avanzada, anunciada hoy que ha desarrollado los primer 32 gigabytes de la industria (GB) carga-redujo, módulo doble-en línea de la memoria (LRDIMM), para las aplicaciones de servidor.

Samsung comenzará a producir en masa el 32GB LRDIMM en la segunda mitad de este año, dándole la familia más grande de ofrendas de la COPITA en la industria.

Usando 40 nanómetro-clases punta, cuatro virutas DDR3, que del gigabit (4Gb) Samsung introducido a principios de este año, el nuevo 32GB LRDIMM acomoda los servidores de la generación siguiente diseñaron para la virtualización, se nublan aplicaciones que calculaban y otras de gran capacidad.

“En desarrollar el módulo primero carga-reducido de la industria con tecnología de 40nm-class DDR3, estamos subrayando nuestra determinación para combinar el mejor de la capacidad y funcionamiento para la más nueva generación de servidores,” dijo Dong-Soo Junio, vicepresidente ejecutivo, márketing de la memoria, Samsung Electronics.

El prototipo del 32GB LRDIMM de Samsung consiste en 72 virutas de 4Gb DDR3 y una viruta adicional del almacenador intermediaro de la memoria para ayudar a reducir la carga en el subsistema de la memoria cerca tanto como el 75 por ciento.

Usando 32GB LRDIMMs, la capacidad de memoria puede subir hasta 384 gigabytes por la CPU. En un sistema bidireccional del servidor, la capacidad se puede aumentar hasta 768GB, o cerca de 1,5 veces que de un sistema del servidor 512GB equiparon de 32GB DDR3 RDIMMs.

Un servidor equipado de LRDIMMs puede tramitar datos en 1.333 Megabites por el segundo (Mbps), el aproximadamente 70 por ciento más rápida que la velocidad anterior de 800 Mbps. LRDIMMs de Samsung operatorio en 1,35 o 1,5 voltios.

Fuente: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 12. January 2012 01:14

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