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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Sviluppa il Modulo di Memoria 32GB che Caratterizza i Chip di 40nm 4Gb DDR3

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Co., Srl, il leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, annunciata oggi che ha sviluppato i primo 32 gigabyte dell'industria (GB) caricamento-ha diminuito, modulo doppio-in linea di memoria (LRDIMM), per le applicazioni di server.

Samsung comincerà la massa producendo il 32GB LRDIMM nella seconda metà di questo anno, dantegli la più grande famiglia delle offerti di DRAM nell'industria.

Facendo Uso di 40 classi nanometro di avanguardia, quattro chip DDR3, che di gigabit (4Gb) Samsung presentato all'inizio di quest'anno, il nuovo 32GB LRDIMM accomoda i server della generazione seguente hanno progettato per virtualizzazione, si appannano la computazione ed altre applicazioni di grande capacità.

“Nello sviluppare il modulo in primo luogo caricamento-diminuito dell'industria con tecnologia di 40nm-class DDR3, stiamo sottolineando la nostra determinazione per combinare il meglio della capacità e prestazione per la più nuova generazione di server,„ ha detto Dong-Soo Giugno, il vice presidente esecutivo, la vendita di memoria, Samsung Electronics.

Il prototipo del 32GB LRDIMM di Samsung consiste di 72 chip di 4Gb DDR3 e di un chip supplementare del buffer di memoria per contribuire a diminuire il caricamento sul sottosistema di memoria vicino fino a 75 per cento.

Usando 32GB LRDIMMs, la capacità di memoria può aumentare fino a 384 gigabyte per CPU. In un sistema bidirezionale del server, la capacità può essere aumentata fino a 768GB, o a circa 1,5 volte che di un sistema del server 512GB hanno fornito di 32GB DDR3 RDIMMs.

Un server fornito di LRDIMMs può elaborare i dati a 1.333 megabit al secondo (Mbps), circa 70 per cento più veloce della velocità precedente di 800 Mbps. Il LRDIMMs di Samsung funziona a 1,35 o 1,5 volt.

Sorgente: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 12. January 2012 01:42

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