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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Desenvolve o Módulo da Memória 32GB que Caracteriza Microplaquetas de 40nm 4Gb DDR3

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciada hoje que desenvolveu as primeira 32 gigas byte da indústria (GB) carga-se reduziu, módulo duplo-inline da memória (LRDIMM), para aplicações de server.

Samsung começará a massa produzindo o 32GB LRDIMM na segunda metade deste ano, dando lhe a família a maior de ofertas da GOLE na indústria.

Usando 40 nanômetro-classes pioneiro, quatro microplaquetas DDR3, que do gigabit (4Gb) Samsung introduzido no começo desse ano, o 32GB novo LRDIMM acomoda server da próxima geração projectaram para a virtualização, nublam-se aplicações computando e outras de alta capacidade.

“Em desenvolver o módulo primeiramente carga-reduzido da indústria com tecnologia de 40nm-class DDR3, nós underscoring nossa determinação para combinar o melhor da capacidade e desempenho para a geração a mais nova de server,” disse o Dong-Soo Junho, vice-presidente executivo, mercado da memória, Samsung Electronics.

O protótipo do 32GB LRDIMM de Samsung consiste em 72 microplaquetas de 4Gb DDR3 e em uma microplaqueta adicional do amortecedor da memória para ajudar a reduzir perto a carga no subsistema da memória tanto quanto 75 por cento.

Usando 32GB LRDIMMs, a capacidade de memória pode aumentar até 384 gigas byte pelo PROCESSADOR CENTRAL. Em um sistema em dois sentidos do server, a capacidade pode ser aumentada até 768GB, ou aproximadamente 1,5 vezes que de um sistema do server 512GB se equiparam com o 32GB DDR3 RDIMMs.

Um server equipado com o LRDIMMs pode processar dados em 1.333 por segundo do megabit (Mbps), aproximadamente 70 por cento mais rápida do que a velocidade precedente de 800 Mbps. O LRDIMMs de Samsung opera-se em 1,35 ou 1,5 volts.

Source: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 12. January 2012 01:09

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