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Samsung Desenvolve o Módulo da Memória 32GB que Caracteriza Microplaquetas de 40nm 4Gb DDR3

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciada hoje que desenvolveu as primeira 32 gigas byte da indústria (GB) carga-se reduziu, módulo duplo-inline da memória (LRDIMM), para aplicações de server.

Samsung começará a massa produzindo o 32GB LRDIMM na segunda metade deste ano, dando lhe a família a maior de ofertas da GOLE na indústria.

Usando 40 nanômetro-classes pioneiro, quatro microplaquetas DDR3, que do gigabit (4Gb) Samsung introduzido no começo desse ano, o 32GB novo LRDIMM acomoda server da próxima geração projectaram para a virtualização, nublam-se aplicações computando e outras de alta capacidade.

“Em desenvolver o módulo primeiramente carga-reduzido da indústria com tecnologia de 40nm-class DDR3, nós underscoring nossa determinação para combinar o melhor da capacidade e desempenho para a geração a mais nova de server,” disse o Dong-Soo Junho, vice-presidente executivo, mercado da memória, Samsung Electronics.

O protótipo do 32GB LRDIMM de Samsung consiste em 72 microplaquetas de 4Gb DDR3 e em uma microplaqueta adicional do amortecedor da memória para ajudar a reduzir perto a carga no subsistema da memória tanto quanto 75 por cento.

Usando 32GB LRDIMMs, a capacidade de memória pode aumentar até 384 gigas byte pelo PROCESSADOR CENTRAL. Em um sistema em dois sentidos do server, a capacidade pode ser aumentada até 768GB, ou aproximadamente 1,5 vezes que de um sistema do server 512GB se equiparam com o 32GB DDR3 RDIMMs.

Um server equipado com o LRDIMMs pode processar dados em 1.333 por segundo do megabit (Mbps), aproximadamente 70 por cento mais rápida do que a velocidade precedente de 800 Mbps. O LRDIMMs de Samsung opera-se em 1,35 ou 1,5 volts.

Source: http://www.samsung.com/in/

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