Carl Zeiss, SEMATECH-Partner, zum des Metrologie-Hilfsmittels für EUV-Fotomasken Zu Konstruieren

Published on July 9, 2010 at 4:04 AM

SEMATECH und Carl Zeiss kündigten heute ihre Vereinbarung an, die bild-Metrologieanlage der Industrie erste aktinische Luft(AIMS™) für Defektzusammenfassung von EUV-Fotomasken zu konstruieren und zu entwickeln.

Die Plattform AIMS™ EUV stellt ein kritisches Hilfsmittel für die Entwicklung und die Herstellung von den fehlerfreien extremen ultravioletten Masken der Lithographie (EUVL) dar, die jenseits auf den 22 nm Technologieknotenpunkt und abgezielt werden. Eine erste Produktion-angemessene Version der Plattform wird für frühes 2014, in Übereinstimmung mit der erwarteten Einleitung der EUV-Lithographie in bis 2015 Großserienherstellen eingeplant.

Gemeinsam mit EUVL-Masken-Infrastrukturkonsortium (EMI) SEMATECHS forscht Carl Zeiss einen Konzept- und Möglichkeitsplan für ein Hilfsmittel nach, das das Luftbild emuliert, das durch einen EUV-Lithographie-Scanner gebildet wird, der die 22 nm-halbabstand Knotenpunkt (HP)anforderungen mit extendibility zum 16 nm HP-Knotenpunkt unterstützt.

„Übergänge der Bedeutenden Industrie wie die Einleitung der EUV-Lithographie benötigen kooperative Innovationen, die Koordination über der Versorgungskette miteinbeziehen,“ sagten Dan Armbrust, Präsident und Vorstandsvorsitzende von SEMATECH. „Diese Vereinbarung stellt eine beträchtliche Leistung für EMS-Konsortium SEMATECHS dar und stellt unsere fortfahrende Verpflichtung dar, um die Infrastruktur zu entwickeln und zu entbinden, die benötigt wird für diese kritische zukünftige Technologie.“

„Die Entwicklung von Produktion-angemessenen Metrologielösungen ist zur Beschleunigung von EUVL kritisch und stellt einen anderen beträchtlichen Schritt in Richtung zur Bereitschaft für Kommerzialisierung von EUV für Hoch-Volumenherstellung dar,“ sagte John Warlaumont, Vizepräsident von Neuen Technologien, SEMATECH. „Carl Zeiss ist ein bewerteter Partner von SEMATECH jahrelang gewesen, ihre Führung gegeben, wenn er hochmoderne Komponenten und Anlagenlösungen zur Verfügung stellte, die die freundliche Herstellung sind. Wir sind sehr erfreut, sich mit Carl Zeiss auf dem Treiben der Entwicklung eines hochauflösenden EUV-Defekt-Zusammenfassungshilfsmittels zusammenzutun, das unterstützt zusammen den Bedarf der Halbleiterindustrie und DER EUV-Verwahrer.“

Nach umfangreicher Industrieanalyse sind einige Schlüsselinfrastrukturabstände für EUV im Bereich der Maskenmetrologie. Die EMS-Partnerschaft adressiert diese Abstände, indem sie Entwicklung von kritischen Metrologiehilfsmitteln, in drei Phasen finanziert. Die erste Phase konzentriert sich auf das Aktivieren einer erhöhten EUV-Maskenabdeckungs-Inspektionsfähigkeit bis 2011, gefolgt von der Entwicklung eines AIMS™ für EUV im Jahre 2014 gemeinsam mit Carl Zeiss und schließlich ein EUV-Maskenvorlageinspektionshilfsmittel, das fähig ist, bei 16 nm-HP bis 2015 zu arbeiten. Nach erfolgreicher Fertigstellung der Konzept- und Durchführbarkeitsanalyse, SEMATECH und Carl Zeiss-Ziel, zum der Hauptentwicklung der AIMS™-Anlage unter einer gesonderten Vereinbarung zu beginnen.

„Die Vereinbarung mit SEMATECH vertritt einen wichtigen Teil unseres Gesellschaftszwecks, um die Lithographiestraßenkarte durch unsere führende AIMS™-Technologie zu aktivieren. Wir haben uns an einem aggressiven Zeitplan für die Entwicklung von Technologie EUV AIMS™ verpflichtet, um den wachsenden Industrieimpuls für EUV-Lithographie zu unterstützen,“ sagte Dr. Oliver Kienzle, Direktor der Halbleiter-Metrologie-Anlagen-Abteilung Carl Zeisss (SMS) SMTs.

„EMS-Partnerschaft SEMATECHS stellt die geeignetste Entwicklungsbasis zur verfügung, damit Carl Zeiss unsere althergebrachte Metrologieerfahrung anwendet und eindeutige EUV-Fähigkeiten, zum von neuen Hilfsmitteln zu entwickeln, um EUV-Lithographie für die Industrie zu aktivieren,“ stehen hinzugefügtes Wolfgang Harnisch, Direktor Neue Wirtschaftliche Entwicklung von SMS-Abteilung und Projektleiter des AIMS™ EUV vor.

Es ist sehr schwierig, damit hochmoderne 193 nm-Immersionslithographietechniken Chips über der 22 nm HP-Technologiegeneration hinaus kopieren. EUVL, mit einer Wellenlänge von nur 13,5 nm, gilt breit als die beste folgende Technologiegeneration, die tiefer ultravioletter Lithographie folgt. Die EUV-Masken, die für sub-22 nm Kopieren verwendet werden, müssen von den Defekten frei sein sie, auf Chip-Schaltungen zu übertragen zu vermeiden - aber aktuelle Metrologiehilfsmittel sind im Allgemeinen am Finden von Defekten unterhalb 32 nm-Knotenpunktanforderungen unwirksam.

Seit 2003 hat die Halbleiterindustrie fehlerfreie EUV-Masken unter seinen Spitzendrei technischen Punkten geordnet, und SEMATECH hat technische Programme geführt, um Defektreduzierung zu treiben. Auf Bitten von der Industrie fing SEMATECH an, eine consortial Lösung für die erforderliche Metrologieinfrastruktur mit einer speziellen Werkstatt an SEMICON im Juli 2009 auszuüben, das West ist und fuhr mit Arbeitsgruppen fort, Angebote und Bemühungen zu entwickeln, sich Gründungsmitglieds anzumelden. Vorwärts Gehend, ermöglicht SEMATECH Konsensbildung unter den EMS-Partnern und versieht entscheidende Daten mit verständnisvoller Analyse und ein Diskussionsforum für erreichende entscheidende Vereinbarungen.

Quelle: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 22:03

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