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Carl Zeiss, Socio de SEMATECH Para Diseñar la Herramienta de la Metrología para los Photomasks de EUV

Published on July 9, 2010 at 4:04 AM

SEMATECH y Carl Zeiss anunciaron hoy su acuerdo de diseñar y de desarrollar el primer sistema antena actínico de la metrología de la imagen de la industria (AIMS™) para la revista del defecto de los photomasks de EUV.

La plataforma de AIMS™ EUV representa una herramienta crítica para el revelado y la fabricación de las máscaras ultravioletas extremas sin defectos de la litografía (EUVL) apuntadas en el nodo de la tecnología de 22 nanómetro y más allá. Una primera versión producción-digna de la plataforma se programa para principios de 2014, conforme a la introducción prevista de litografía de EUV en la fabricación en grandes cantidades en 2015.

En colaboración con el consorcio de la Infraestructura de la Máscara del EUVL (EMI) de SEMATECH, Carl Zeiss investigará un plan del concepto y de la viabilidad para una herramienta que emule a la imagen antena formada por un analizador de la litografía de EUV que utiliza los 22 requisitos del nodo (HP) del mitad-tono del nanómetro con extendibility al nodo de 16 nanómetro HP.

Las “transiciones de la industria Importante tales como la introducción de litografía de EUV requieren las innovaciones colaborativas que implican la coordinación a través de la cadena de suministro,” dijeron a Dan Armbrust, Presidente y Director General de SEMATECH. “Este acuerdo representa un logro importante para el consorcio de la EMI de SEMATECH, e ilustra nuestra consolidación que continúa para desarrollar y para entregar la infraestructura requerida para esta tecnología crítica de la siguiente-generación.”

“El revelado de las soluciones producción-dignas de la metrología es crítico a acelerar EUVL y representa otro paso de progresión importante hacia la disposición para la comercialización de EUV para la alto-volumen-fabricación,” dijo a Juan Warlaumont, vicepresidente de las Tecnologías Avanzadas, SEMATECH. “Carl Zeiss ha sido un socio valorado de SEMATECH durante muchos años, dado su liderazgo en proporcionar a componentes avanzados de la herramienta y las soluciones del sistema que son fabricación cómoda. Estamos muy contentos partner con Carl Zeiss en impulsar el revelado de una herramienta de alta resolución de la revista del defecto de EUV que utilice colectivamente las necesidades de la industria del semiconductor y de los tenedores de EUV.”

Después de análisis extenso de la industria, algunas separaciones dominantes de la infraestructura para EUV están en el área de la metrología de la máscara. La sociedad de la EMI está dirigiendo estas separaciones financiando el revelado de las herramientas críticas de la metrología, en tres fases. La primera fase se centrará en la activação de una capacidad aumentada del examen del espacio en blanco de la máscara de EUV en 2011, seguido por el revelado de un AIMS™ para EUV en 2014 en colaboración con Carl Zeiss, y finalmente una herramienta del examen del modelo de máscara de EUV capaz de trabajar en 16 nanómetro HP en 2015. Después de la realización acertada del estudio del concepto y de viabilidad, de SEMATECH y de la meta de Carl Zeiss para comenzar el revelado principal del Sistema de AIMS™ según los términos de un acuerdo separado.

“El acuerdo con SEMATECH representa a una parte importante de nuestra misión de compañía para activar el mapa itinerario de la litografía con nuestra tecnología de cabeza de AIMS™. Nos hemos comprometido a un calendario agresivo para el revelado de la tecnología de EUV AIMS™ para utilizar el impulso cada vez mayor de la industria para la litografía de EUV,” dijo al Dr. Oliverio Kienzle, director de gerente de la División de Sistemas de la Metrología del Semiconductor de Carl Zeiss (SMS) SMT.

“La sociedad de la EMI de SEMATECH proporciona al asiento más conveniente del revelado para que Carl Zeiss aplique nuestra prolongada experiencia de la metrología y capacidades únicas de EUV para desarrollar las nuevas herramientas para activar la litografía de EUV para la industria,” Wolfgang adicional Harnisch, director Nuevo Desarrollo de Negocios de la División de SMS y Arranque De Cinta de Proyecto del proyecto de AIMS™ EUV.

Será muy desafiador para el estado plus ultra 193 técnicas de la litografía de la inmersión del nanómetro para modelar virutas más allá de la generación de la tecnología de 22 nanómetro HP. EUVL, con una longitud de onda de solamente 13,5 nanómetro, extensamente se considera la mejor generación siguiente de la tecnología que sigue la litografía ultravioleta profunda. Las máscaras de EUV usadas para modelar de sub-22 nanómetro deben estar libres de defectos de evitar transferirlos sobre los circuitos de viruta - pero las herramientas actuales de la metrología son generalmente ineficaces en encontrar defectos debajo de 32 requisitos del nodo del nanómetro.

Desde 2003, la industria del semiconductor ha alineado máscaras sin defectos de EUV entre sus tres ediciones técnicas superiores, y SEMATECH ha llevado programas técnicos para impulsar la reducción del defecto. A petición de la industria, SEMATECH comenzó a perseguir una solución consortial para la infraestructura requerida de la metrología con un curso especial en SEMICON Del Oeste en julio de 2009, continuando con los grupos de trabajo desarrollar ofertas y esfuerzos de firmar hacia arriba a piezas iniciales. Yendo hacia adelante, SEMATECH facilitará el logro de un consenso entre los socios de la EMI, proveyendo de datos cruciales análisis profundo y de un foro de discusión para los acuerdos concluyentes que alcanzan.

Fuente: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 21:40

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