卡爾蔡司,SEMATECH聯盟合作夥伴設計計量工具的EUV光罩

Published on July 9, 2010 at 4:04 AM

SEMATECH聯盟和卡爾蔡司公司今天宣布了他們的缺陷審查的EUV光掩膜行業的第一次光化航拍圖像測量系統(AIMS™)設計和開發的協議。

目的™EUV技術平台代表了無缺陷的極端紫外線光刻技術(EUVL)在22納米技術節點和超越的目標的口罩的開發和製造的關鍵工具。值得第一個生產平台版本計劃於 2014年初,與預期 EUV光刻技術的引進,到2015年進入大批量製造。

SEMATECH的極紫外光刻面具基礎設施(EMI)的財團合作,卡爾蔡司將調查,模擬的空中圖像形成一個超紫外線光刻技術支持可擴展到了22納米半間距(惠普)節點要求掃描器的工具的一個概念和可行性計劃惠普16納米節點。

“EUV光刻技術引進的主要行業,如轉換需要涉及整個供應鏈的協調的協作創新,Armbrust,SEMATECH聯盟總裁兼首席執行官說:”丹。 “這項協議標誌著一個 SEMATECH的EMI財團的顯著成就,說明了我們繼續致力於開發和提供這個關鍵的下一代技術所需的基礎設施。”

,先進技術,SEMATECH聯盟副總裁約翰說 Warlaumont:“生產值得的計量解決方案的發展是至關重要的加速極紫外光刻,代表了另一種大批量製造 EUV技術的商業化邁出的重要一步走向準備,”。 “卡爾蔡司已經多年SEMATECH聯盟的一個重要的合作夥伴,鑑於其在提供國家最先進的工具,組件和系統解決方案的領導,是製造友好。我們很高興與卡爾蔡司合作,推動高解析度EUV缺陷審查工具,將共同支持半導體行業的需求和EUV利益相關者的發展。“

經過廣泛的業內人士分析,對 EUV技術的一些關鍵基礎設施的差距是在面膜計量領域。 EMI的合作夥伴關係是解決這些差距的關鍵計量工具的發展資金,分三個階段進行。第一階段將集中於使增強的EUV掩模空白檢測能力,到2011年,2014年在與卡爾蔡司合作,發展的EUV目標™和最後一條 EUV掩模圖形的檢測工具,能夠在16納米惠普工作到2015年。 SEMATECH和卡爾蔡司目標的概念和可行性研究的成功完成後,開始下一個單獨的協議的AIMS™系統的主要發展。

“與 SEMATECH聯盟的協議代表了我們公司的使命的重要組成部分,以便通過我們領先的AIMS的的光刻技術的路線圖™技術。我們承諾,以積極的EUV AIMS的發展時間表™技術以支持EUV光刻技術的不斷增長的行業發展勢頭,奧利弗 KIENZLE,博士說:“卡爾蔡司SMT半導體計量系統的管理董事(SMS)司。

“SEMATECH的EMI的合作夥伴關係提供的卡爾蔡司最合適的發展基礎,將我們的長期計量的經驗和獨特的EUV技術能力開發新的工具,以便EUV行業光刻,”補充沃爾夫岡哈尼施,導演新短信部業務發展和項目負責人對 AIMS™EUV技術項目。

這將是非常具有挑戰性的國家的最先進的193納米浸入式光刻技術超越惠普22納米技術代的格局芯片。波長僅為 13.5納米,極紫外光刻,是人們普遍認為最好的次年深紫外線光刻技術的產生。極紫外用於亞 22納米的圖案的口罩必須是自由的缺陷,以避免他們轉移到芯片電路 - 但目前的計量工具一般都在尋找低於 32納米節點要求的缺陷無效。

自2003年以來,半導體產業已位居前三名的技術問題,無缺陷的EUV口罩,SEMATECH聯盟 LED技術的方案,以驅動減少缺陷。在業界的要求,SEMATECH聯盟所需的計量基礎設施的一個專題研討會在SEMICON West 2009年7月開始推行一個 consortial的解決方案,工作組繼續發展的建議和努力簽署初始成員。展望未來,SEMATECH聯盟將有利於 EMI的合作夥伴之間建立共識,提供關鍵數據,精闢的分析和討論論壇達成決定性的協議。

來源: http://www.sematech.org/

Last Update: 10. October 2011 04:51

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