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Angewandte Materialien' Endura-Anlage Markiert 20 Jahre der Leistung

Published on July 13, 2010 at 4:13 AM

Applied Materials, Inc. feiert heute das 20. Jahr seiner Angewandten Endura®-Plattform, die erfolgreichste Aufdampfenanlage in der Geschichte der Halbleiterindustrie.

Endura-Anlagen revolutionierten Halbleiteraufdampfen, indem sie Durchbruchtechnologien und Niveaus der Zuverlässigkeit, der Brauchbarkeit und der Flexibilität entbanden, die weit vorhandene Fähigkeiten übertrafen. Die überwiegende Mehrheit von den Mikrochips, die in den letzten 20 Jahren hergestellt werden, sind unter Verwendung ein von über 4.500 Endura-Anlagen hergestellt worden, die über der Kugel zu über 100 Abnehmern versendet haben.

Das Endura-Plattform der Angewandten Materialien ist die erfolgreichste Aufdampfenanlage in der Geschichte der Halbleiterindustrie und hilft, fast jeden Mikrochip herzustellen.

„Als die Endura-Anlage zuerst freigegeben wurde, stellte sie eine neue Gericht für technische Leistung ein und Zuverlässigkeit in PVD,“ sagte Dr. Mark Liu, Senior-Vizepräsident von Operationen bei Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., „, das Wir auf Endura-Anlagen und seine kontinuierlichen Innovationen in allen unseren Fabriken bauen, um eine große Auswahl von integrierten PVD- und CVD-Anwendungen durchzuführen.“

Yasuo Naruke, Vizepräsident der Speicher-Abteilung, Toshiba-Halbleiter-Firma, kommentierte, „Fast 20 Jahre nachdem wir unsere erste Endura-Anlage kauften, die Plattform fortfährt, unseren hohen Standards für Aufdampfen zu entsprechen.“

Die Endura-Anlage fährt fort, neuen Benchmark für die Industrie mit dem Einleitungsheutigen tag von zwei innovativen Technologien einzustellen, die die führenden Chips herstellend angestrebt werden, die, für die nächste Generation von intelligenten Einheiten benötigt werden. Die Angewandte Anlage Endura Avenir™ aktiviert Chip-Hersteller, die späteste Metalltor-Transistortechnologie, eine zu enthalten der größten Änderungen in der Transistorauslegung seit den siebziger Jahren, in ihren höchstentwickelten leistungsstarken Digitalbausteinen. Die neue Angewandte Endura-iLB™ Anlage bringt das hochmoderne in der Atomschichtabsetzung voran (ALD), um Abnehmer zu aktivieren, die Drehzahl-kritischen Kontaktzellen von 22nm und über Logik und Speicherchips hinaus zu schrumpfen.

„Die Innovationen, die heute eingeführt werden, halten unsere Abnehmer an dem innovativen und aktivieren sie, Moores Gesetz vorwärts zu treiben,“ sagte Mike-Splitter, Aufsichtsratsvorsitzender von Angewandten Materialien. „Wendete anhaltende Investitionen in den Technologieextensionen an und Produktivitätsverbesserungen haben das Endura an der vordersten Reihe der Halbleiterfälschung durch viele Chip-Generationen gehalten. Über 85% der Endura-Anlagen, die zu den Abnehmern in der Vergangenheit sind 20 versendet werden, Jahre noch heutiger Tag in Kraft - ein Testament zu den Ingenieuren an Angewandtem, dessen Innovation und Widmung eine Anlage produzierte, die solch ein wesentliches Bestandteil der Halbleiterindustrie vorüber ist, gegenwärtig und.“

Endura-Innovation während des Heutigen Tages und der Zukunft

Die neue Angewandte Endura Avenir Anlage HFS PVD1 gibt sequenziell die mehrfachen metallischen Schichten ab, die das Innere eines Metalltortransistors bilden. Unter Verwendung eigener Hochfrequenz-erhöhter PVD-Technologie die Avenir-Anlagendosenpfand Unternm Filme mit den genau-ausgeführten Schnittstellen, zum der Leckage herabzusetzen aktuell und von Schaltverzögerung zu maximieren. Zusätzlich zu HF PVD, kann der Anlage, die, Hochproduktivität Plattform flexibel ist, mit einer großen Auswahl von PVD-, CVD2- und ALD-Technologien konfiguriert werden und sie eindeutig fähig machen zur Fabrikation aller Metalltorfilm-Stapelzellen in einem einzelnen Durchlauf. Die Anlage Endura Avenir hat bereits Hilfsmittel-vonsatz Status an führender Logik erzielt und Gießereiabnehmer für 22nm steuern Produktion.

Den Widerstand der Verbindungen zwischen Transistoren oder Speicherzellen Herabzusetzen ist zur Fälschung von zuverlässigen, Hochgeschwindigkeitsmikroprozessoren und von Speicherchips wesentlich. Eine Schlüsselherausforderung unter 32nm findet eine kosteneffektive Methode, eine sehr dünne Barrierefolieschicht abzugeben, um nachfolgende Wolframfülle zu aktivieren. Die Angewandte Endura-iLB PVD/ALD Anlage nimmt diese Herausforderung unter Verwendung eigener radikal-erhöhter Technologie ALD (RE-ALD™) an, um die ultradünnen, robusten Filme TiN3 mit bemerkenswerter Einheitlichkeit sogar in den sehr tiefen Gräben mit Längenverhältnissen über 20 abzugeben: 1. Die Anlage ist aktuell der Hilfsmittel-vonsatz an den bedeutenden Logikherstellern und wird für hoch entwickelte D-RAM-Entwicklung verwendet.

Quelle: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 21:24

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