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Samsung Commence la Production de Masse 30nm-Class des Puces Neuves du Vert DDR3

Published on July 21, 2010 at 3:19 AM

Samsung Electronics Cie., Ltd, le leader mondial en technologie de stockage avancée, annoncée aujourd'hui qu'elle a commencé à produire le premier deux-gigabit DDR3 (Gb) Vert de l'industrie utilisant la technologie de la transformation (nm) de classe du nanomètre 30.

« Nous voyons une forte augmentation dans la demande pour les puces DDR3 et répondons à ce besoin avec l'introduction opportune 30nm-class des solutions du Vert DDR3, » a dit Soo-Dans Cho, président, Division de Mémoire, Affaires de Semi-conducteur, Samsung Electronics. « la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE Trente DDR3 classe de la nano fournira l'expérience utilisateur la plus satisfying possible, offrant la performance extrêmement haute et la consommation d'énergie réduite pour le PC et les applications serveur conçues pour capitaliser des compilateurs à plusieurs noyaux neufs. »

Les puces du Vert DDR3 du 30nm-class 2Gb de Samsung fournissent la solution de la plus haute performance dans l'industrie, basée sur un design de circuit novateur. Pour des applications serveur, les modules de mémoire peuvent atteindre jusqu'à 1,866 gigabits par seconde (GBP) à 1,35 volts, alors que les modules de PC peuvent fonctionner à jusqu'à 2.133Gbps (1,5 volts), qui est 3,5 fois plus rapidement que DDR2 et 1,6 fois plus rapidement que 50nm la classe DDR3.

L'accroissement Récent sur le marché des smartphones a déclenché une hausse forte de l'usage de données, menant à une circulation plus dense aux centres de traitement des données. La puce neuve du 30nm-class DDR3 de Samsung fournira à des solutions de mémoire plus haute les niveaux de performance et de puissance faible pour faciliter le rétablissement neuf des serveurs optimisés pour calculer et virtualisation de nuage. L'épargne d'Alimentation Électrique pour la plupart des applications serveur neuves utilisant 30nm DDR3 sera environ 20 pour cent plus grande que les applications qui utilisent 50nm-class DDR3.

De plus, une fois combinées avec les plates-formes à plusieurs noyaux neuves de PC, les solutions de Samsung 30nm-class 4GB DDR3 pour des PCs peuvent faire fonctionner des que deux 50nm-class 2GB DDR3 solutions 60 pour cent plus rapides, utilisant 65 pour cent moins d'alimentation électrique.

Utilisant le procédé 30nm-class neuf, la puce neuve fournit une augmentation générale de 155 pour cent de la productivité au-dessus du procédé du 50nm-class de Samsung.

Avec des régimes pour produire également les puces neuves de 30nm DDR3 dans une densité 4Gb par fin d'année, Samsung élargira bientôt sa ligne de mémoire avec la production de masse de 4GB, 8GB, 16GB et 32GB 30nm-class RDIMMs pour des serveurs, 2GB, 4GB et 8GB UDIMMs pour des postes de travail et des PC de bureau, 2GB, 4GB et 8GB SoDIMMs plus pour des carnets et des appareils de bureau tout-en-un

Source : http://www.samsung.com/ 

Last Update: 11. January 2012 23:28

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