Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Samsung Начинает Массовое Производство Новых 30nm-Class Обломоков Зеленого Цвета DDR3

Published on July 21, 2010 at 3:19 AM

CO. Samsung Electronics, Ltd., мировой лидер в предварительной технологии памяти, объявленной сегодня что она начинал массу производящ 2-гигабит Зеленое DDR3 (Gb) индустрии первый используя технологический прочесс типа (nm) 30 нанометров.

«Мы видим резкий рост в требовании для обломоков DDR3 и соотвествуем та потребность с своевременным введением 30nm-class разрешений Зеленого Цвета DDR3,» сказал Soo-В Cho, президенте, Разделении Памяти, Деле Полупроводника, Samsung Electronics. «30 ДРАХМА nano-типа DDR3 поставит самый сытный опыт пользователя возможный, предлагающ весьма высокую эффективность и уменьшенный расход энергии для ПК и приложения сервера конструированные для того чтобы написать прописными буквами на новых обработчиках multi-сердечника.»

Обломоки Зеленого Цвета DDR3 30nm-class 2Gb Samsung обеспечивают разрешение высокого класса исполнения в индустрии, основанной на новаторском расчете цепи. Для приложений сервера, модули памяти могут достигнуть до 1,866 гигабита в секунду (Gbps) на 1,35 вольтах, пока модули ПК могут работать на до 2.133Gbps (1,5 вольтах), которое 3,5 времени более быстро чем DDR2 и 1,6 времени более быстро чем 50nm тип DDR3.

Недавний рост в рынке smartphone вызывал резкое возрастание в использовании данных, водя к концентрацияа автомашин в центрах данных. Обломок 30nm-class DDR3 Samsung новый обеспечит разрешения памяти с высоким классом исполнения и уровнями самой низкой силы для того чтобы приспособить новое поколение серверов оптимизированных для вычислять и виртуализации облака. Сбережения Силы для большинств новых приложений сервера используя 30nm DDR3 будут около 20 процентов большле чем применения которые используют 50nm-class DDR3.

В добавлении, совмещано с новыми платформами ПК multi-сердечника, разрешения Samsung 30nm-class 4GB DDR3 для ПК могут привестись в действие 60 процентов более быстрые чем 2 50nm-class 2GB DDR3 разрешения, используя 65 процентов меньше силы.

Используя новый процесс 30nm-class, новый обломок обеспечивает увеличение 155 процентов общее в урожайности над процессом 50nm-class Samsung.

С планами также для того чтобы произвести новые обломоки 30nm DDR3 в плотности 4Gb year end, Samsung скоро расширит свою компановку памяти с массовым производством 4GB, 8GB, 16GB и 32GB 30nm-class RDIMMs для серверов, 2GB, 4GB и 8GB UDIMMs для рабочих мест и ПК настольного компьютера, добавочного 2GB, 4GB и 8GB SoDIMMs для тетрадей и неразъемных настольных компьютеров

Источник: http://www.samsung.com/ 

Last Update: 11. January 2012 23:45

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit