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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Para Desarrollar Memoria Flash Avanzada del NAND Junto con Toshiba

Published on July 22, 2010 at 2:25 AM

Samsung Electronics Co., Ltd. y Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunciaron hoy su consolidación al revelado del hoy disponible de alto rendimiento más avanzado de la tecnología de memoria Flash del NAND - memoria Flash doble del tipo (DDR) de datos NAND con 400 un interfaz (Mbps) megabit por segundo, pliego de condiciones de palanca de RDA 2,0.

Se prevee que la memoria de alto rendimiento del NAND esté de ventaja inmediata a un ordenador principal de las aplicaciones NAND-basadas del móvil y de los productos electrónicos de consumo, especialmente donde hay demanda del consumidor para un alargamiento extra en funcionamiento. Ambas compañías utilizarán un pliego de condiciones estándar de la industria para activar la aceptación de la amplio-escala de esta nueva tecnología de alta velocidad.

“Nuestra introducción de la clase de alta velocidad NAND de 30 nanómetros sirvió tarde el año pasado como camino inicial para la aceptación estimulante de la nueva tecnología de alto rendimiento de RDA de la palanca acodada,” dijo Dong-Soo Junio, vicepresidente ejecutivo, márketing de la memoria, Samsung Electronics. “Ahora, las mejoras continuas en funcionamiento de alta velocidad crearán nuevas aplicaciones y oportunidades de mercado más amplias para memoria Flash del NAND. Se prevee que la adopción rápida de los smartphones de cuarta generación (4G), de las PC de la tablilla y de los mecanismos impulsores de estado sólido impulse la demanda para una gama más amplia de soluciones de alto rendimiento del NAND.”

La “Palanca Acodada RDA proporciona a un interfaz más rápido que NAND convencional usando un diseño asíncrono, entregando las ventajas de la transferencia de datos de alta velocidad a un mercado más ancho, por ejemplo para aplicaciones de estado sólido (SSD) del mecanismo impulsor incluyendo almacenamiento de la empresa, los teléfonos movibles, las terminales de las multimedias y los productos de consumo,” dijo a Masaki Momodomi, Segundo Comandante Técnico, producto de Memoria, Toshiba Corporation. “Y continuaremos hacer el mejor esfuerzo posible crear las soluciones estándar, de alta velocidad del interfaz del Destello del NAND con los vendedores del NAND y a los clientes, que acelerarán la revolución en aplicaciones del almacenamiento.”

El pliego de condiciones actual de RDA 1,0 de la palanca acodada aplica un interfaz de RDA a la única configuración convencional del tipo (SDR) de datos NAND. La viruta resultante del NAND tiene un interfaz 133Mbps.

Samsung y Toshiba se centrarán en asegurar un interfaz 400Mbps para el pliego de condiciones de RDA 2,0 de la palanca acodada, que proporciona a un aumento triple sobre la palanca acodada RDA 1,0, y un aumento décuplo sobre 40Mbps SDR NAND en uso disperso hoy.

Ambas compañías utilizan la adopción a nivel industrial del pliego de condiciones de alta velocidad, que facilitaría una aceptación más rápida de la memoria de palanca de RDA con los representantes técnicos de la dotación física y los proyectistas de aplicación. El mes pasado, cada compañía comenzó a participar en los esfuerzos de estandarización para la nueva tecnología con la Asociación De Estado Sólido de la Tecnología de JEDEC.

Fuente: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 23:46

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