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Posted in | Nanoelectronics

三星与东芝一起开发先进的NAND快闪记忆体

Published on July 22, 2010 at 2:25 AM

三星电子有限公司和东芝公司(东京证券交易所:6502)今天宣布,他们最先进的高性能NAND快闪记忆体技术发展的承诺今天 - 双数据速率(DDR)NAND快闪记忆体与一个400兆的每秒(Mbps)的接口,切换DDR 2.0规范。

高性能的NAND闪存预计将基于NAND的移动和消费电子应用的主机直接的好处,特别是在有一个额外的拉伸性能的消费需求。两家公司将支持行业标准规范,使这种新的高速技术的大规模接受。

“东秀俊,内存市场,三星电子执行副总裁,说:”我们引进高速30纳米级NAND的后期去年作为刺激接受的新的高性能切换DDR技术的初步途径送达。 “现在,在高速性能的不断升级将创造新的应用,NAND快闪记忆体和更广阔的市场机会。第四代(4G)的智能手机,平板电脑和固态硬盘的迅速普及,预计将推动一个更广泛的高性能NAND解决方案的需求。“

“切换解除武装,复员和重返社会提供了一种比传统的NAND接口速度更快,使用异步设计,更广阔的市场,如固态硬盘(SSD)应用,包括企业级存储,移动电话,多媒体终端和消费者提供高速数据传输的好处,产品,Momodomi,技术长官,内存产品,东芝公司正树说。“ “我们将继续尽最大努力创建标准,高速NAND闪存接口的解决方案与NAND供应商和客户,这将加快存储应用的革命。”

目前切换DDR 1.0规范适用于传统的单数据速率(SDR)NAND架构DDR接口。由此产生的NAND芯片具有133Mbps的接口。

三星和东芝公司将重点放在保证切换的解除武装,复员和重返社会的2.0规范,提供了超过1.0解除武装,复员和重返社会切换增加三倍,并广泛使用的10倍,超过40Mbps的特别提款权的NAND增加今天一个400Mbps的接口。

两家公司的支持,全行业通过高速的规范,这将有利于更快地接受切换的DDR内存与硬件工程师和应用程序设计。上个月,每家公司开始参与通过JEDEC固态技术协会的新技术的标准化工作。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 6. October 2011 14:39

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