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開發先進的與非閃存的三星以及東芝

Published on July 22, 2010 at 2:25 AM

三星電子 Co., Ltd. 和 Toshiba Corporation (東京: 6502) 今天宣佈了他們的承諾對最先進的高性能與非閃存技術可用的今天 - 與 400 每秒兆位的界面, (DDR)乒乓鍵 DDR 2.0 說明的一個雙 (Mbps)數據傳輸比與非閃存的發展。

高性能與非內存預計是立即福利到許多基於與非的移動電話和家電應用,特別是有對額外的舒展的顧客需求在性能。 兩家公司將支持一個標準行業說明啟用此新的高速技術清楚縮放比例接受。

「我們的高速 30 毫微米選件類與非的簡介去年下半年起一條最初的路作用對於新的高性能觸發器 DDR 技術的刺激的接受」,東Soo 營銷 6月,行政副總裁,內存,三星電子說。 「現在,在高速性能的連續的升級將創建新建應用程序和更加清楚的市場機會與非閃存的。 第四代 (4G) 智能手機、片劑個人計算機和固體驅動器的迅速採用預計驅動對各種各樣的高性能與非解決方法的需求」。

「觸發器 DDR 比使用一個異步設計的提供一個更加快速的界面常規與非,提供高速數據傳輸量的福利到一個更寬的市場,例如為固體推進 (SSD)應用包括企業存貯,移動電話,多媒體終端和消費品」, Masaki Momodomi,技術執行委員,存儲器產品, Toshiba Corporation 說。 「并且我們將繼續使這個最佳的工作成績成為可能用與非供營商創建標準,高速與非閃光界面解決方法和客戶,將加速在存貯應用的革命」。

當前觸發器 DDR 1.0 說明應用一個 DDR 界面於常規唯一數據傳輸比 (SDR)與非結構。 發生的與非籌碼有一個 133Mbps 界面。

三星和東芝將著重保證觸發器 DDR 2.0 說明的一個 400Mbps 界面,提供在觸發器 DDR 1.0 的增加三倍和在 40Mbps SDR 與非的一個十倍的增量在今天普遍使用。

兩家公司支持高速說明的業界範圍的採用,將實現乒乓鍵 DDR 內存更加快速的接受與硬件工程師和應用程序設計人員的。 上個月,每家公司開始參加新技術的標準化努力通過 JEDEC 固體技術關聯。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 26. January 2012 02:28

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