AIXTRON Обеспечивает Новый Заказ Системы MOCVD от Университета Meijo

Published on July 27, 2010 at 5:23 AM

AIXTRON AG сегодня объявили новый порядок для одной Близкой Соединенной системы MOCVD СИД Showerhead основанной GaN от Университета Meijo, в Нагоя, установленный клиент AIXTRON в Японии. Заказ был получен более раньше этот год и система будет поставлена в четвертой четверти 2010 в конфигурации вафли 3x2-inch. Местная группа обеспечения AIXTRON поручит новый реактор на Университете Meijo.

Заказ включает и EpiCurveTT и AIXTRON ARGUS в-situ инструменте. Latter новый пирометр multi-канала который позволяет в реальном масштабе времени измерению и анализу температуры поверхности и единственный термальный профилируя прибор доступный для полный отображать температуры susceptor.

Др. Motoaki Iwaya Адъюнкта-Профессора комментирует, «планы Университета Meijo для того чтобы установить Исследовательскийа Центр СИД Кооперативный для того чтобы начать белые СИД и Уф--СИД для освещать и бактерицидные источников света с супер свойствами перевода энергосберегающего, высокого цвета, длинние продолжительность жизни и недорог. Этот центр был выбран как институт перспективных исследований, и был фондирован Министерством Экономии, Торговля и Промышленность (METI). Центр будет поделен с компаниями соучастника для сотрудничества. Одна из сотрудничая компаний, EL-SEED CORP., start-up компания рискованого начинания от Университета Meijo, дирижирует научно-исследовательский проект СИД следующего поколени белого поддержанного Новой Энергией и Промышленной Организацией Развития Технологии (NEDO) на центре. Мы очень счастливы с нашей настоящей системой, AIX 200/4 RF-s. Furthermore, системы showerhead R&D AIXTRON доказанные демонстрировали в прошлом их большую масштабируемость и легкий отростчатый переход к производственным системам showerhead. Система 3x2-inch позволяет мы легко переключить между 2, 3 - и вафли 4 дюймов, без любого главного приспособления отростчатых условий. Вполне, мы уверенно что система MOCVD AIXTRON самое лучшее для трудной задачи GaN основала развитие СИД.»

Источник: http://www.aixtron.com/

Last Update: 11. January 2012 23:45

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit