Carl Zeiss et SEMATECH Réalisent l'Étape Principale dans le Programme de Lithographie

Published on July 30, 2010 at 1:45 AM

SEMATECH et la division de Systèmes de Métrologie (SMS) de Semi-conducteur de Carl Zeiss ont annoncé aujourd'hui que le système de la deuxième génération d'inscription de photomask de Zeiss' et de métrologie de transparent a avec succès réussi une étape principale de développement.

Le système commun développé - PROVE™ appelé - a expliqué la capacité de mesure pour les photomasks avancés pour le noeud de 32 nanomètre et ci-dessous. Dans une série d'essais, les caractéristiques principales -- 0,5 répétabilités de nanomètre et exactitudes de 1,0 nanomètre dans l'emplacement d'image, l'inscription et la mesure recouverte -- ont été vérifiés.

« Les constructions de projet d'outil de métrologie d'emplacement de configuration de masque sur un partenariat déjà réussi entre Carl Zeiss SMS et SEMATECH pour le travail de passé sur les Systèmes Aériens de Métrologie d'Image de masque (AIMS™) usinent des plates-formes. Le partenariat a eu comme conséquence un outil fonctionnant de métrologie qui répond à des caractéristiques pour la répétabilité, la reproductibilité, et l'exactitude au noeud de moitié-hauteur de son de 32 nanomètre, » a dit le Riz de Bryan, directeur de la lithographie à SEMATECH. « L'industrie a maintenant la capacité pour déterminer de plus petites erreurs d'emplacement d'image que pourrait être mesuré avant. La Réalisation de ces caractéristiques est une étape importante vers activer le Calendrier de lancement International de Technologie pour des conditions de masque des Semi-conducteurs (ITRS) pour le noeud de 32 nanomètre et ci-dessous. Cette exécution aidera à avancer le développement des photomasks avec des conditions plus serrées de transparent, exigé par des blocs de mémoires et de doubles méthodes de structuration. »

Les objectifs de performance de l'outil ont été pilotés par les conditions pour la mémoire avancée et l'emplacement de structuration et le transparent de double exposition/de configuration masque de double qui aideront à étendre la lithographie 193nm selon l'ITRS.

« Il est une étape importante dans le projet et essentiel De réaliser la spécification de performances du système de PROVE™ pour nos abonnées dans le masque effectuant l'industrie. Le système est basé sur une plate-forme développée complet neuve activant la métrologie d'emplacement de configuration de dans-matrice et de sous-nanomètre d'une voie la plus versatile. Les mesures peuvent être faites sur les caractéristiques techniques arbitraires de production dans la zone active du photomask pour la métrologie efficace précise et de coût et sont extensibles à la technologie d'EUV, » a dit M. Oliver Kienzle, Directeur Général de Carl Zeiss SMS. « Nous maintenant sortie de virage le produit de PROVE™ avec des accouchements à nos abonnées. »

Cette technologie représente une importante amélioration au-dessus de la capacité précédente due principalement de la constitution du bloc optique à haute résolution de représentation de la longueur d'onde 193nm, un illuminateur flexible qui maximise le contraste d'image, un algorithme hautement versatile d'analyse d'inscription de dans-matrice, et une plate-forme de pointe de métrologie. Le système peut être entièrement étendu pour mesurer des photomasks d'EUV. L'outil jouera un rôle indispensable en activant la technologie masque-effectuante de prochain rétablissement.

Le Programme de la Lithographie de SEMATECH aboutit l'industrie en fournissant des données critiques au sujet de et des solutions au courant et aux systèmes apparaissants de lithographie.

Carl Zeiss a été choisi pour développer le système en avril 2007 par une équipe de bilan des générateurs de masque et des sociétés membres de SEMATECH. Proposition de Carl Zeiss la' a compris un design nouveau permettant à des constructeurs de masque de mesurer l'écart de position des caractéristiques techniques de photomask avec la haute précision et l'exactitude. Depuis lors Carl Zeiss et les ingénieurs de SEMATECH partnered pour développer le concept en outil fonctionnant de métrologie.

Source : http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 05:59

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