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ASU para recibir donaciones para el desarrollo de nuevos láseres, detectores de infrarrojo

Published on August 5, 2010 at 2:05 AM

Un equipo de investigadores de la Universidad Estatal de Arizona recibirán el apoyo del Departamento de Defensa de EE.UU. para ayudar al desarrollo de las próximas generaciones de láseres y detectores de infrarrojo.

La tecnología es ampliamente utilizada en la detección y la imagen de una gran variedad de aplicaciones de defensa y comerciales.

La obra será financiada por una beca de Investigación del Ejército a través de la Oficina multidisciplinario del Departamento de Defensa Iniciativa de Investigación de la Universidad (MURI), que apoya los esfuerzos de ciencia e ingeniería que implican la investigación y el desarrollo de tecnología considerada vital para los intereses nacionales.

Yong-Cuelga de la ASU Zhang, David J. Smith y Johnson Shane combina la experiencia en ingeniería eléctrica, ciencias de los materiales y la física para contribuir a un proyecto en el que colaborará con sus colegas de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign, el Instituto de Tecnología de Georgia y la Universidad de Carolina del Norte.

Todo el proyecto ha sido aprobado para una beca de $ 6.25 millones durante cinco años. Equipo de la ASU ha sido galardonado con $ 2,34 millones por su parte del esfuerzo.

Investigadores de ASU trabajarán en proyectos destinados a impulsar el poder de alto rendimiento de los láseres y detectores de infrarrojo.

Zhang es profesor y Johnson es un científico investigador en la Escuela de Ingeniería Eléctrica, Informática y de Ingeniería Energética, una de las escuelas Ira A. Fulton de ASU de Ingeniería.

Smith es profesor un Regentes ASU en el Departamento de Física en la universidad de ASU de Artes Liberales y Ciencias.

Ellos se centran en profundizar en el conocimiento de las propiedades básicas de los materiales utilizados para la construcción de láseres y detectores de infrarrojo. Van a estudiar el origen de los defectos en los materiales y explorar maneras de reducirlos.

La comprensión de cómo los defectos de forma en la escala nanométrica permitirá mejoras en estas materias, abriendo el camino a los avances en semiconductores, detectores de infrarrojo y los sistemas de imágenes, dijo Johnson.

Esta es la concesión MURI tercer programa otorga a investigadores de ASU en los últimos años en tecnologías de semiconductores optoelectrónica y fotónica. Hubo más de 150 propuestas completas para el año fiscal 2010 subvenciones MURI. Sólo 32 fueron seleccionados para su financiación.

El proyecto en que participa el equipo de USA es el único seleccionado este año en el área de láser y la investigación fotodetector materiales.

"Esto indica que el reconocimiento nacional de los esfuerzos de investigación en ASU en estas áreas", dijo Zhang.

"Estoy muy contento de ver a nuestro equipo seleccionado, ya que la competencia para esta concesión MURI particular, era muy fuerte", dijo Zhang. "Muchos de los equipos participantes son guiados por destacados científicos."

Zhang, Smith y Johnson se esfuerzan por comprender mejor y mejorar las propiedades físicas y estructurales de antimonio de materiales a base de semiconductores compuestos. Estos materiales ofrecen la posibilidad de producir de muy alto rendimiento fotodetectores infrarrojos y rayos láser, dijo Johnson.

En concreto, estudiarán los sistemas de superred que constan de dos o más materiales que son intencionalmente dispuestas en capas alternas de semiconductores de varios nanómetros de grosor.

Las estructuras de superred en combinación con un sistema de material de antimonio puede dar a los ingenieros "más grados de libertad para seleccionar el color y el rendimiento de detectores de infrarrojo y rayos láser", dijo Johnson.

Fuente: http://www.asu.edu/

Last Update: 3. October 2011 04:29

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