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Eulitha推出深蝕刻光柵光譜應用

Published on August 13, 2010 at 2:28 AM

傳輸衍射光柵 EUV光源或在EUV範圍的光譜實驗的特性,如在許多研究和開發項目的需要。

由於高吸收,在這個光譜範圍內的所有材料(約 5-20納米)的光柵必須薄膜和開衩應該可以忽略不計的吸收。在長期的EUV技術傳輸光柵 Eulitha製造的經驗,現在提供深蝕刻光柵光譜應用。

為 1mm週期光柵的SEM圖像蝕刻氮化矽膜。這種光柵的橫截面中的插圖所示。

光柵是根據客戶要求的規格,如大小,線寬和光柵間距設計。膜的機械穩定性和耐久性,確保氮化矽極薄(約 20nm的)在狹縫和橫梁結構層未蝕刻離開。我們成熟的過程和處理非常脆弱膜的專門知識,使我們能夠負擔得起的價格提供高品質的光柵。

Eulitha是生產高品質的納米結構,採用先進的光刻技術技術的先驅和領導者。我們提供分辨率定制和標準化的納米結構,向下延伸到亞 20 nm區域。

Eulitha的週期性納米結構的製備是破紀錄的極紫外干涉光刻的EUV - IL技術的基礎上。該方法利用光的波長約為 13 nm。 Eulitha編造的EUV - IL一維線性光柵和二維點陣列或網格

來源: Eulitha

Last Update: 7. October 2011 11:52

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