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Posted in | Nanoelectronics

16 IMEC-Autoren Angenommen für Elektron-Einheits-Treffen IEEE das Internationale

Published on August 19, 2010 at 8:58 PM

16 Papiere mit imec Autoren wurden für die Internationalen Treffenden Elektron-Einheiten IEEE, (IEDM) 6.-8. Dezember 2010, in San Francisco angenommen. Sind ITRS-bedingte sowie Mehr-als-Moore-bedingte Forschungsarbeiten, multidisziplinäre der R&D-Plattform der befriedigenden imecs angenommen worden (zwei hochmoderne R&D-fabs kennzeichnend).

Mit 11 Papieren auf ITRS-Skalierungsthemen, behandelt imec einen beträchtlichen Beitrag zum grundlegenden Verständnis auf dem Schaltungsverhalten und -operation in hoch entwickelten Speicherkonzepten (d.h. widerstrebende Einheiten RAMS (RRAM)), unter anderen Themen. Dieses ist erzielt worden, indem man die althergebrachte Sachkenntnis der imecs in Logik MOS und in der hoch--K/Metalltorzuverlässigkeit anwendete. Es zeigt die Leistung der Aufnahme- von Fremdmittelnsachkenntnis von den verschiedenen Gebieten in einer flexiblen Art.

Ein 2. Höhepunkt zeigt den anhaltenden Fortschritt der imecs auf 3D-through-silicon über (TSV) Technologie, die an der vordersten Reihe von neuen und aktivierenden ITRS-Technologien ist. Das Papier berichtet über wichtige Kennzeichnungsdaten einer Zweiform gestapelten Einheit, die TSV mit den hoch--K/Metalltoreinheiten kombiniert.

Darüber hinaus werden 5 Mehr-als-Moore in Verbindung gestandene Themen an IEDM dargestellt und umfassen GaN-Technologie, Sihochspannungseinheiten und MEMS-Technologien. Ein bestimmtes Ergebnis ist die Realisierung einer Einheit der Hochleistung MEMS zusammen mit einem unserer industriellen Kernpartner. Imecs MEMS R&D-Sachkenntnis wurde angewendet, um eine Industrie-relevante Lösung zur Verfügung zu stellen.

Last Update: 12. January 2012 05:21

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