新的ETERNA FCVD系統從應用材料為 20納米邏輯芯片

Published on August 25, 2010 at 2:16 AM

應用材料公司今天宣布,其突破性的應用生產者 ®的ETERNA™FCVD™(可流動 CVD1)的系統,第一個也是唯一的薄膜沉積技術的電氣隔離,在20納米及以下的存儲器和邏輯芯片設計的包裝密集的晶體管一個高品質的介質膜。

這些晶體管之間的差距可以有長寬比超過 30:1 - 5倍,比目前的要求更高 - 和高度複雜的配置。的ETERNA FCVD系統的獨特的工藝,完全填補這些差距,從底部起來,提供一個高密度,無碳的介質膜在自旋沉積方法的成本的一半 - 這需要更多的設備和許多額外的工藝步驟。

應用材料公司推出其突破性的ETERNA FCVD系統,第一個,也是唯一能夠存入一個密集的包裝為 20nm及以下的存儲器和邏輯芯片晶體管之間的介質膜高品質的技術。

“需要填補,在先進的芯片設計更小,更深入的結構創建一個現有的沉積技術的物理障礙。應用材料公司推出其新的ETERNA FCVD系統打破通過這一障礙今天 - 提供的破壞性技術,可以使在摩爾定律繼續取得進展,“說條例草案”麥克林托克,副總裁和應用材料公司帝斯曼/ CMP2的業務單位的總經理。 “隨著的ETERNA FCVD系統,應用在缺口填補技術繼續其長達十年之久的領導,為客戶提供了獨特,簡化和成本效益的解決方案,以滿足多個新代芯片的挑戰。”

應用材料公司的專有的ETERNA FCVD過程提供了液體狀的膜,流入幾乎任何形狀結構自由提供了一個自下而上,無空洞填充。的ETERNA FCVD系統是安裝在6個 DRAM,閃存和邏輯應用,它是集成應用的基準生產者平台上的客戶站點。

來源: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 10. October 2011 08:18

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