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Posted in | Nanofabrication

SEMATECH Termina 300 la Línea Experimental del milímetro 3D IC Operatoria en CNSE Albany

Published on August 30, 2010 at 8:46 PM

En otro paso de progresión hacia impulsar la madurez de la integración de 3D IC, el programa de la Interconexión del 3D de SEMATECH anunció hoy la realización de su 300 línea experimental del milímetro 3D IC, operatorio en la Universidad de la Ciencia de Nanoscale y del Complejo de Albany NanoTech de la Ingeniería (CNSE).

Dedicado a las vía-mediados de aplicaciones 3D, el revelado de SEMATECH y la plataforma exploratoria incluye todos los procesos y vehículos de la prueba necesarios demostrar la viabilidad de la vía-mediados de tecnología conjuntamente con el CMOS avanzado.

“Nuestra misión es hacer el por-silicio 3D vía (TSV) manufacturable y asequible. Probaremos sus ventajas muy reales sobre, los diseños-especial bidimensionales en funciones y funcionamiento crecientes,” dijo a Sitaram Arkalgud, director convencional de la Interconexión 3D en SEMATECH. “La realización de nuestra línea del R&D de 300 milímetros es un paso de progresión importante hacia la demostración de las soluciones de la tecnología para la fabricación en grandes cantidades de TSV.”

Centrado en los 5µm los x 50µm TSVs, los procesos incluyen la formación y la metalización, fulminante de TSV y mueren alineación, vinculación, reducción, y la metrología necesaria para estas series de la integración. Utilizado por las capacidades de tramitación convencionales del CMOS de CNSE, los investigadores de SEMATECH están trabajando en común con los fabricantes de chips, los surtidores del equipo y de los materiales, y las universidades en las acciones recíprocas del dispositivo para la fabricación en el nodo de 65 nanómetro para la graduación a escala planar y futura a 30 nanómetro para las tecnologías planares y no planares del CMOS.

“La integración de la línea experimental de la Interconexión 3D por SEMATECH en el Complejo de Albany NanoTech de CNSE más futuro aumenta las capacidades marginales de la investigación y desarrollo en el UAlbany NanoCollege,” dijo a Richard Brilla, vicepresidente de la estrategia, de las alianzas y de los consorcios en CNSE. “Esto marca otro paso de progresión crítico hacia adelante en acelerar la fabricación avance para las tecnologías innovadoras del nanoelectronics.”

Arkalgud agregó, “Nuestro programa provee de nuestras piezas el acceso para terminar 300 milímetros de capacidad del R&D en 3D, permitiendo que él evalúen las herramientas, los módulos de proceso e incluso las series de la integración en una configuración realista. Por Otra Parte, SEMATECH está desempeñando un papel estratégico en el trabajo con la industria para impulsar manufacturability y para forjar consenso en opciones de la tecnología, patrones, y el modelado del costo.”

Puesto En Marcha en 2005, el programa del 3D de SEMATECH fue establecido para entregar los 300 milímetros robustos de equipo y las soluciones de la tecnología de proceso para la fabricación en grandes cantidades de TSV. El programa 3D se ha estado enganchando con los surtidores marginales del equipo y de los materiales y leveraging activamente su experiencia para entregar soluciones de proceso manufacturable. En 2009, el programa comenzó a desplegarse considerablemente para incluir el revelado y la demostración de 300 milímetros de útiles, los materiales, y las soluciones del módulo del proceso necesarias para la fabricación de 3D TSV para los fulminantes de 300 milímetros en 2012 y más allá.

Además, el programa del 3D de SEMATECH está desarrollando un flujo de la referencia que contenga los elementos críticos del interés en el tramitación y metrología para sus piezas. El uso de un flujo común de la referencia ayudará a impulsar consenso entre piezas y la industria, y presta validez a un modelo de costo.

3D ICs desempeñará un papel importante en la fabricación del semiconductor, dada su potencial de aliviar limitaciones de la graduación a escala, funcionamiento del aumento reduciendo retrasos de la señal, y reduce costo. TSVs puede mejorar el funcionamiento eléctrico, consumo de una energía más inferior, activar la integración de dispositivos heterogéneos, encoger talla del dispositivo, y reducir costo.

Last Update: 12. January 2012 20:20

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