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Posted in | Nanofabrication

SEMATECH Remplit 300 la Ligne Pilote d'IC du millimètre 3D Fonctionnant à CNSE Albany

Published on August 30, 2010 at 8:46 PM

Dans une autre phase vers piloter la maturité de l'intégration de l'IC 3D, le programme d'Interconnexion du 3D de SEMATECH a annoncé aujourd'hui l'achèvement de sa 300 ligne pilote d'IC du millimètre 3D, fonctionnant à l'Université du Composé de Nanotechnologie d'Albany du Scientifique et Technique de Nanoscale (CNSE).

Consacré aux par l'intermédiaire-mi applications 3D, le développement de SEMATECH et la plate-forme exploratoire comprend tous les procédés et véhicules de test nécessaires pour expliquer la viabilité de la par l'intermédiaire-mi technologie conjointement avec le CMOS avancé.

« Notre mission est d'effectuer le par l'entremise-silicium 3D par l'intermédiaire (TSV) de manufacturable et d'abordable. Nous prouverons ses avantages réels mêmes par rapport, des designs-particulier bidimensionnels dans la fonctionnalité et la performance accrues, » a dit Sitaram Arkalgud, à directeur conventionnel de l'Interconnexion 3D à SEMATECH. « L'achèvement de notre ligne de R&D de 300 millimètres est un pas important vers expliquer des solutions techniques pour la fabrication à fort débit de TSV. »

Porté sur 5µm x 50µm TSVs, les procédés comprennent la formation de TSV et la métallisation, disque et meurent cadrage, métallisation, éclaircissement, et la métrologie nécessaire pour ces séquences d'intégration. Supporté par les capacités de traitement conventionnelles de CMOS de CNSE, les chercheurs de SEMATECH travaillent en commun avec des fabricants de circuits intégrés, des fournisseurs de matériel et de matériaux, et des universités sur des interactions de dispositif pour la fabrication au noeud de 65 nanomètre pour la graduation planaire et future à 30 nanomètre pour des technologies planaires et non plan de CMOS.

« L'intégration de la ligne pilote de l'Interconnexion 3D par SEMATECH au Composé de Nanotechnologie d'Albany de CNSE autre renforce le potentiel de pointe de recherche et développement chez l'UAlbany NanoCollege, » a dit Richard Brilla, vice président de stratégie, d'alliances et de consortiums à CNSE. « Ceci marque un autre pas en avant critique en accélérant la fabrication avancée pour des technologies novatrices de nanoelectronics. »

Arkalgud a ajouté, « Notre programme fournit à nos membres l'accès pour remplir 300 millimètres de capacité de R&D dans 3D, permettant à eux d'évaluer des outils, aux modules de processus et même aux séquences d'intégration dans une configuration réaliste. D'ailleurs, SEMATECH joue un rôle stratégique en fonctionnant avec l'industrie pour piloter le manufacturability et pour modifier l'accord en des options de technologie, des normes, et la modélisation de coût. »

Lancé en 2005, le programme du 3D de SEMATECH a été déterminé pour fournir des 300 millimètres robustes des solutions techniques de matériel et de procédé pour la fabrication à fort débit de TSV. Le programme 3D avait activement engagé dans les fournisseurs de pointe de matériel et de matériaux et était accru leurs compétences pour fournir les solutions de processus manufacturable. En 2009, le programme a commencé à augmenter considérablement pour comprendre le développement et la démonstration de 300 millimètres d'outillage, matériaux, et solutions de module de procédé nécessaires pour la fabrication de 3D TSV pour des disques de 300 millimètres en 2012 et au-delà.

De plus, le programme du 3D de SEMATECH développe un flux de référence qui contient les éléments indispensables de l'intérêt pour le traitement et la métrologie pour ses membres. L'utilisation d'un flux commun de référence aidera à piloter l'accord parmi des membres et l'industrie, et prête la validité à un modèle de coût.

3D IC jouera un rôle majeur à la fabrication de semi-conducteur, donnée leur potentiel d'alléger des limitations de graduation, performance d'augmentation en réduisant des délais de signe, et réduit le coût. TSVs peut améliorer la performance électrique, consommation d'énergie inférieure, activer l'intégration des dispositifs hétérogènes, rétrécir la taille de dispositif, et réduire le coût.

Last Update: 12. January 2012 20:41

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